[發明專利]檢測層間粘附力的方法及檢測試片的制作方法有效
| 申請號： | 201110446041.X | 申請日： | 2011-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103185687A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G01N19/04 | 分類號： | G01N19/04;G01N1/28;H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 粘附 方法 試片 制作方法 | ||
1.檢測層間粘附力的方法，該方法包括：
提供待檢測試片，所述待檢測試片上依次形成有第一介質膜和第二介質膜；
在所述第二介質膜上形成第一溝槽，直至所述第一介質膜的表面；
在所述第一溝槽內填充金屬，并通過化學機械平坦化使所述金屬的表面與所述第二介質膜齊平；
在所述第二介質膜上生長氧化物膜，并在所述氧化物膜上與所述第一溝槽對應的位置形成第二溝槽，且所述第二溝槽的深度小于等于所述氧化物膜的厚度；
將所述氧化物膜與襯底粘合，并在所述襯底上與所述第一溝槽及第二溝槽對應的位置形成開槽，以形成檢測試片；
利用四點彎曲法檢測所述第一介質膜與第二介質膜之間的粘附力。
2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一介質膜為低介電常數介質膜。
3.如權利要求2所述的方法，其中，所述第一介質膜為摻氮的碳化硅層。
4.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述第二介質膜為低介電常數介質膜。
5.如權利要求4所述的方法，其中，所述第二介質膜為黑鉆石層。
6.如權利要求1所述的方法，其中，所述氧化物膜為氧化硅層。
7.如權利要求1所述的方法，其中，所述金屬為銅。
8.用于檢測層間粘附力的檢測試片的制作方法，該方法包括：
提供待檢測試片，所述待檢測試片上依次形成有第一介質膜和第二介質膜；
在所述第二介質膜上形成第一溝槽，直至所述第一介質膜的表面；
在所述第一溝槽內填充金屬，并通過化學機械平坦化使所述金屬的表面與所述第二介質膜齊平；
在所述第二介質膜上生長氧化物膜，并在所述氧化物膜上與所述第一溝槽對應的位置形成第二溝槽，且所述第二溝槽的深度小于等于所述氧化物膜的厚度；
將所述氧化物膜與襯底粘合，并在所述襯底上與所述第一溝槽及第二溝槽對應的位置形成開槽，以形成所述檢測試片。
9.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一介質膜為低介電常數介質膜。
10.如權利要求9所述的方法，其中，所述第一介質膜為摻氮的碳化硅層。
11.如權利要求8或9所述的方法，其中，所述第二介質膜為低介電常數介質膜。
12.如權利要求11所述的方法，其中，所述第二介質膜為黑鉆石層。
13.如權利要求8所述的方法，其中，所述氧化物膜為氧化硅層。
14.如權利要求8所述的方法，其中，所述金屬為銅。
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