[發明專利]固態成像裝置的制造方法和固態成像裝置無效
| 申請號: | 201110445972.8 | 申請日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102593136A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 大岡豐 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 吳艷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 制造 方法 | ||
1.一種固態成像裝置的制造方法,包括:
準備光電轉換裝置;
在所述光電轉換裝置的表面上形成絕緣層;
在支承基體上形成線柵偏振器;
將所述支承基體上所述線柵偏振器的形成表面接合至所述光電轉換裝置的表面上的所述絕緣層,和
從所述線柵偏振器移除所述支承基體。
2.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法,
其中,通過在所述光電轉換裝置的表面上形成由硅化物制成的所述絕緣層、在所述支承基體上所述線柵偏振器的表面上形成包括所述硅化物的鈍化層、以及活化所述絕緣層和所述鈍化層,將所述光電轉換裝置接合到所述支承基體。
3.如權利要求2所述的固態成像裝置的制造方法,還包括:
在形成所述線柵偏振器之后,在所述線柵偏振器的柵格之間形成絕緣層。
4.如權利要求3所述的固態成像裝置的制造方法,
其中,在所述線柵偏振器的柵格之間形成絕緣層的處理中,所述絕緣層被形成為低于所述線柵偏振器,并且在柵格之間在絕緣層上由所述線柵偏振器形成凸狀,
在所述光電轉換裝置的表面上形成所述絕緣層的處理中,由所述線柵偏振器形成與所述凸部相對立的凹部,并且
所述線柵偏振器的所述凸狀對準并且接合到所述光電轉換裝置的表面上的所述絕緣層的所述凹部。
5.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法,
其中,透明的基體被用作所述支承基體,并且在將所述支承基體接合到所述光電轉換裝置的時候通過透過所述支撐基體利用形成在所述光電轉換裝置側的所述基體中的對準標記執行對準。
6.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法,
其中,形成所述線柵偏振器的所述處理包括:在所述支承基體的整個表面上形成金屬層的處理;和將所述金屬層加工成柵格陣列狀態的處理。
7.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法,
其中,形成所述線柵偏振器的所述處理包括:在所述支承基體上形成島狀吸收層的處理;在所述支承基體的整個表面上形成絕緣層以便覆蓋所述吸收層的處理;在所述絕緣層上形成所述金屬層的處理;和將所述金屬層和所述絕緣層加工成柵格陣列狀態的處理。
8.一種固態成像裝置,包括:
光電轉換裝置;
形成在所述光電轉換裝置上的絕緣層;和
形成在所述絕緣層上的線柵偏振器,
其中,在所述絕緣層中形成凹部,并且
所述線柵偏振器的側壁形成為接觸形成在所述絕緣層上的所述凹部的內壁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





