[發(fā)明專利]氧化硅玻璃坩堝的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110445484.7
• 申請(qǐng)日: 2011-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN102531350A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 須藤俊明;鈴木江梨子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本超精石英株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C03B20/00
• 分類號(hào): C03B20/00;C30B15/10
• 代理公司: 深圳市維邦知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44269
• 代理人: 王昌花

1.一種氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于包括：

通過向坩堝成形用模具內(nèi)部供給氧化硅粉末來(lái)形成氧化硅粉層的氧化硅粉末供給工序，以及

通過利用多個(gè)碳電極進(jìn)行的電弧放電來(lái)熔化氧化硅粉層的電弧熔化工序，

其中，所述電弧熔化工序包括控制氧化硅玻璃熔化狀態(tài)的工序，在該工序中，測(cè)量上述氧化硅粉層的溫度，并以在上述電弧熔化工序中初期出現(xiàn)的最初的溫度最高點(diǎn)作為基準(zhǔn)溫度，根據(jù)上述基準(zhǔn)溫度來(lái)控制氧化硅玻璃熔化狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：上述控制氧化硅玻璃熔化狀態(tài)的工序包括調(diào)整對(duì)碳電極的供給電流的工序。

3.如權(quán)利要求2所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：在調(diào)整對(duì)上述碳電極的供給電流的工序中，調(diào)整對(duì)碳電極供給的電流使氧化硅粉層的溫度達(dá)到相對(duì)于上述基準(zhǔn)溫度成90～135％。

4.如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：在上述氧化硅粉層的溫度測(cè)量中，使用輻射溫度計(jì)來(lái)檢測(cè)出波長(zhǎng)為4.8～5.2μm的輻射能而測(cè)量溫度。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：在上述氧化硅粉層的溫度測(cè)量中，測(cè)量上述氧化硅玻璃坩堝的角部的溫度。