[發明專利]氧化硅玻璃坩堝的制造方法有效
| 申請號： | 201110445484.7 | 申請日： | 2011-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102531350A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 須藤俊明;鈴木江梨子 | 申請（專利權）人： | 日本超精石英株式會社 |
| 主分類號： | C03B20/00 | 分類號： | C03B20/00;C30B15/10 |
| 代理公司： | 深圳市維邦知識產權事務所 44269 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 日本秋田縣*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 玻璃 坩堝 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于包括：
通過向坩堝成形用模具內部供給氧化硅粉末來形成氧化硅粉層的氧化硅粉末供給工序，以及
通過利用多個碳電極進行的電弧放電來熔化氧化硅粉層的電弧熔化工序，
其中，所述電弧熔化工序包括控制氧化硅玻璃熔化狀態的工序，在該工序中，測量上述氧化硅粉層的溫度，并以在上述電弧熔化工序中初期出現的最初的溫度最高點作為基準溫度，根據上述基準溫度來控制氧化硅玻璃熔化狀態。
2.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：上述控制氧化硅玻璃熔化狀態的工序包括調整對碳電極的供給電流的工序。
3.如權利要求2所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：在調整對上述碳電極的供給電流的工序中，調整對碳電極供給的電流使氧化硅粉層的溫度達到相對于上述基準溫度成90～135％。
4.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：在上述氧化硅粉層的溫度測量中，使用輻射溫度計來檢測出波長為4.8～5.2μm的輻射能而測量溫度。
5.如權利要求1至4中任意一項所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：在上述氧化硅粉層的溫度測量中，測量上述氧化硅玻璃坩堝的角部的溫度。
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