[發明專利]一種雙模寬帶壓控振蕩器

有效

• 申請號: 201110445201.9
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103187927A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 仵婷;郭桂良;閻躍鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03B5/32
• 分類號: H03B5/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種雙模寬帶壓控振蕩器，其特征在于，包括：分別工作于高頻段和低頻段的兩個壓控振蕩器；每一個壓控振蕩器均包括：

連接在壓控振蕩器的兩個輸出端之間的電感；

兩個可變電容，每個可變電容的一端連接控制電壓，另一端由隔直電容和電阻連接在偏置電壓上；

交叉耦合的NMOS對和PMOS對組成的負阻電路；

一個由數字控制字控制的開關可變電容陣列，用于控制每條調諧曲線的調諧范圍；

一個由數字控制字控制的開關電容陣列，所述開關電容陣列和開關可變電容陣列中的電容的最大值共同決定了所述每條調諧曲線的起始點；

一個由數字控制字和控制電壓共同控制的開關尾電流源陣列，用于產生尾電流，該尾電流與壓控振蕩器的輸出擺幅成正比；使不同調諧曲線上提供的尾電流可調，使不同調諧曲線上不同頻率提供的尾電流也可調。

2.根據權利要求1所述的雙模寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述開關可變電容陣列中的每個基本單元包括：兩對互補開關管、兩個可變電容、兩個PMOS管；

其中，兩對互補開關管中的第一對互補開關管包括第一NMOS管和第一PMOS管；第二對互補開關管包括第二NMOS管和第二PMOS管；第一NMOS管和第二NMOS管的柵極連接在一起并連接數字控制字；第一NMOS管和第一PMOS管的源極連接在一起連接所述控制電壓；第一NMOS管和第一PMOS管的漏極連接在一起連接第一可變電容的第一端；第二NMOS管和第二PMOS管的源極連接在一起連接所述控制電壓，第二NMOS管和第二PMOS管的漏極連接在一起連接第二可變電容的第一端；第一PMOS管和第二PMOS管的柵極連接在一起連接所述數字控制字的互補信號；

所述兩個PMOS管分別為第三PMOS管和第四PMOS管；第三PMOS管的柵極連接所述數字控制字，第三PMOS管的漏極連接所述第一可變電容的第一端；第三PMOS管的源極與第四PMOS管的源極連接在一起連接電源VDD；第四PMOS管的柵極連接所述數字控制字，第四PMOS管的漏極連接所述第二可變電容的第一端；

所述第一可變電容和第二可變電容的容值相同；

所述第一可變電容的第二端和第二可變電容的第二端分別作為開關電容陣列中的每個基本單元的兩個輸出端，該兩個輸出端分別連接壓控振蕩器的兩個輸出端。

3.根據權利要求1所述的雙模寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述開關電容陣列中的每個基本單元包括：第一開關電容、第二開關電容、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；

第五NMOS管的柵極連接數字控制字，第五NMOS管的源極連接第一開關電容的第一端，第五NMOS管的漏極連接第二開關電容的第一端；

第三NMOS管的柵極和第四NMOS管的柵極連接在一起連接所述數字控制字；第三NMOS管的源極和第四NMOS管的源極連接在一起連接GND；

第三NMOS管的漏極連接第五NMOS管的源極，第四NMOS管的漏極連接第五NMOS管的漏極；

第五PMOS管的柵極和第六PMOS管的柵極連接在一起連接所述數字控制字；第五PMOS管的源極和第六PMOS管的源極連接在一起連接電源VDD；第五PMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的源極，第六PMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的漏極；

所述第一開關電容和第二開關電容的容值相同；

所述第一開關電容的第二端和第二開關電容的第二端分別作為開關電容陣列中的每個基本單元的兩個輸出端；該兩個輸出端分別連接壓控振蕩器的兩個輸出端。