[發明專利]四進制電存儲材料及其制備和應用

有效

• 申請號: 201110444853.0
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102437284A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 路建美;李華
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;C07C317/32;C07C315/02
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種四進制電存儲材料，其特征在于，所述四進制電存儲材料的化學結構通式如下所示：

式中，所述R和R^*分別選自：鹵素、硝基或甲氧基中的一種；其中，R₁選自：C1～C6的烷基或苯基中的一種；并且R和R^*不同。

2.權利要求1所述四進制信息存儲材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在10～35℃下，對4，4’-二氨基二苯砜進行單邊保護，得到化合物1，所述化合物1的化學結構式為：

(2)以N，N-二甲基甲酰胺和水為混合溶劑，在0～10℃下，進行化合物1的重氮化反應，得到化合物1的重氮鹽溶液；所述化合物1的重氮鹽的化學結構式為：

(3)使用步驟(2)獲得的化合物1的重氮鹽對進行親電取代反應，得到化合物2，化合物2的結構式為：

(4)將步驟(3)中的化合物2脫去保護基團，得到化合物3，所述化合物3的結構式：

(5)以N，N-二甲基甲酰胺和水為混合溶劑，在0～10℃下，進行化合物3的重氮化反應，得到化合物3的重氮鹽溶液；所述化合物3的重氮鹽的化學結構式為：

(6)使用步驟(5)獲得的化合物3的重氮鹽對進行親電取代反應，得到化合物4，所述化合物4的化學結構式為：

3.一種四進制數據存儲器件，所述四進制數據存儲器件包括底電極和上電極，其特征在于，所述四進制數據存儲器件還包括有機薄膜層，有機薄膜層設置在底電極和上電極之間，底電極、有機薄膜層和上電極構成三明治結構；所述有機薄膜層的材料為權利要求1所述四進制電存儲材料。

4.根據權利要求3所述四進制數據存儲器件，其特征在于，底電極的厚度為10-300nm；有機薄膜層的厚度為40-150nm；上電極的厚度為20-300nm。

5.根據權利要求3所述四進制數據存儲器件，其特征在于，所述底電極的材料選自：ITO導電玻璃、可蒸鍍金屬或導電聚合物。

6.根據權利要求3所述四進制數據存儲器件，其特征在于，所述上電極的材料選自：可蒸鍍金屬及金屬氧化物。

7.應用權利要求1所述四進制電存儲材料制備四進制數據存儲器件的方法，包括以下步驟：在底電極上沉積上述四進制電存儲材料，形成一層40-150nm的有機薄膜；再在有機薄膜上真空沉積一層上電極，制成“底電極/有機薄膜/上電極”的三明治結構器件；

所述底電極的材料選自：ITO導電玻璃、可蒸鍍金屬或導電聚合物；所述上電極的材料選自：可蒸鍍金屬及金屬氧化物。