[發明專利]一種改善晶硅太陽能電池片中異常片的方法無效
| 申請號： | 201110444630.4 | 申請日： | 2011-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102496657A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 周小榮;周大良;羅亮;湯輝;黃盛娟;華菁 | 申請（專利權）人： | 湖南紅太陽新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人： | 馬強 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 太陽能電池 片中 異常 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善晶硅太陽能電池片中異常片的方法，其特征是，將異常片浸沒在質量濃度為1％-5％的HF酸中30秒-90秒后，用去離子水漂洗，氮氣吹干即可；所述異常片為電性能參數中串聯電阻Rs大于10mΩ，填充因子FF小于75％，且光電轉換效率低于17％的晶硅太陽能電池片。
2.根據權利要求1所述改善晶硅太陽能電池片中異常片的方法，其特征是，將異常片浸沒在質量濃度為5％的HF酸中60秒。
3.根據權利要求1所述改善晶硅太陽能電池片中異常片的方法，其特征是，用去離子水漂洗的時間為55秒-65秒。
4.根據權利要求1-3之一所述改善晶硅太陽能電池片中異常片的方法，其特征是，將氮氣吹干后的電池片拿到分選測試儀上重新分選測試，選出合格產品。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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