[發明專利]嵌入式閃存的字線的制造方法

有效

• 申請號: 201110443685.3
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號: CN103178019A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 倪志榮;楊長亮
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

1.一種嵌入式閃存的字線的制造方法，包括：

提供一基底，所述基底具有一晶胞區與一周邊區；

于所述晶胞區的所述基底上形成多個第一柵極結構以及于所述周邊區的所述基底上形成至少一第二柵極結構；

于所述基底上順應性地形成一第一介電層，以覆蓋所述多個第一柵極結構及所述第二柵極結構；

于各第一柵極結構及所述第二柵極結構的側壁上形成一第一間隙壁；

于所述基底上順應性地形成一第二介電層，以覆蓋所述多個第一柵極結構及所述第二柵極結構；

僅于所述第二柵極結構的側壁上形成一第二間隙壁；

移除部分所述第一介電層及部分所述第二介電層，直到露出所述多個第一柵極結構與所述第二柵極結構的頂面以及未被所述多個第一柵極結構及所述第二柵極結構覆蓋的所述基底；

移除各第一柵極結構的上部；以及

于剩余的所述多個第一柵極結構的頂面、所述第二柵極結構的頂面以及露出的所述基底上形成一金屬硅化物層。

2.如權利要求1所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中各所述多個第一柵極結構包括依次堆疊在所述基底上的一穿隧氧化層、一第一導體層、一電荷儲存層及一第二導體層，以及所述第二柵極結構包括依次堆疊在所述基底上的一柵氧化層以及一第三導體層。

3.如權利要求2所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中移除各第一柵極結構的上部為移除部分所述第二導體層。

4.如權利要求2所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中所述第一導體層、所述第二導體層、所述第三導體層的材料分別包括多晶硅。

5.如權利要求1所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中所述金屬硅化物層的材料包括硅化鈷。

6.如權利要求1所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中移除各第一柵極結構的上部的方法包括：

于所述基底上形成一抗反射涂層，以覆蓋所述多個第一柵極結構與所述第二柵極結構；

移除部分所述抗反射涂層，以露出各第一柵極結構的頂面但未露出所述第二柵極結構；

于所述基底上形成一圖案化光阻層，以覆蓋所述第二柵極結構；

對所述多個第一柵極結構進行回蝕刻工藝，以移除各第一柵極結構的上部；以及

移除所述抗反射涂層及所述圖案化光阻層。

7.如權利要求1所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中僅于所述第二柵極結構的側壁上形成所述第二間隙壁的方法包括：

于所述基底上形成一第二間隙壁材料層；

于各第一柵極結構及所述第二柵極結構的側壁上形成所述第二間隙壁；

于所述基底上形成一圖案化光阻層，以覆蓋所述第二柵極結構；

以所述圖案化光阻層為掩模進行蝕刻工藝，以移除各第一柵極結構的側壁上的所述第二間隙壁；以及

移除所述圖案化光阻層。

8.如權利要求7所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中所述圖案化光阻層的材料為負型光阻。

9.如權利要求7所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中所述第二間隙壁材料層的材料包括四乙氧基硅氧烷形成的二氧化硅。

10.如權利要求1所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中所述第一介電層的材料包括高溫氧化物。

11.如權利要求1所述的嵌入式閃存的字線的制造方法，其中所述第一間隙壁及所述第二介電層的材料分別包括氮化硅。