[發(fā)明專利]熱處理的基板承載設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110443405.9 | 申請日: | 2011-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103123907A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃庭輝 | 申請(專利權)人: | 豪客能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 承載 設備 | ||
技術領域
本發(fā)明與硒化的熱處理有關,特別涉及一種熱處理的基板承載設備。
背景技術
請參考圖1,表示現有熱處理的基板承載設備的結構示意圖。
一般傳統(tǒng)的熱處理的基板承載設備10包括一底壁101及至少兩支撐壁102,而相鄰的兩支撐壁102之間僅能置放單一基板103,如此才能對基板103的正面及背面進行熱處理。
而若是欲提升產能而在相鄰的兩支撐壁102之間同時置放兩基板(圖未示)的話,將會造成兩基板(圖未示)容易貼合,導致破壞兩基板的表面,更無法對各基板(圖未示)的正面及反面進行熱處理,生產良率將會降低。
基于上述問題,發(fā)明人提出了一種熱處理的基板承載設備,以克服現有技術的缺陷。
發(fā)明內容
本發(fā)明目的在于提供一種熱處理的基板承載設備,其憑借凸出件及墊片的設計,使兩基板能置放在相鄰的兩支撐板中,同時進行熱處理,可提高至兩倍的產能,且同樣能對各基板的正面與背面進行熱處理而不會相互影響。
為達上述目的,本發(fā)明提供一種熱處理的基板承載設備,包含:
一底壁,呈水平地設置;
至少兩支撐壁,相互平行且相互間隔地設置在該底壁上,各該支撐壁與該底壁垂直,且各該支撐壁的兩側遠離該底壁的一端處,分別設置有一墊片;
至少兩凸出件,分別地設置在兩相鄰的支撐壁之間,且與該底壁連接,兩相鄰的支撐壁與一凸出件之間分別具有一第一空間及一第二空間,該第一空間及該第二空間分別供一基板插置;以及
兩夾固件,分別相對應該第一空間及該第二空間設置,用以分別將各該基板夾固至該第一空間及該第二空間定位,定位后即將各該基板釋放;
其中,在兩相鄰的支撐壁之間的該兩基板其中之一以相對應的該夾固件進行翻轉使該兩基板的背面相對,且其正面分別面對鄰近的各該支撐壁。
所述的熱處理的基板承載設備,其中,在兩相鄰的支撐壁之間的該兩基板以遠離該底壁的一端接觸,且該兩基板之間以該凸出件而相互間隔,該兩基板朝同一方向以一角度而抵靠在其中一支撐壁上的相對應的該墊片。
所述的熱處理的基板承載設備,其中,該角度介于5度角到30度角之間。
附圖說明
圖1表示現有熱熱處理的基板承載設備的結構示意圖;
圖2表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備的結構示意圖;
圖3表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備完成承載后的結構示意圖;
圖4表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備中基板放置不具一致性的示意圖之一;
圖5表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備中基板放置不具一致性的示意圖之二;
圖6表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備中基板放置具有一致性的示意圖。
附圖標記說明:
本發(fā)明:1-熱處理的基板承載設備;2-底壁;3-支撐壁;31-墊片;32-墊片;4-凸出件;5-夾固件;6-夾固件;7-基板;8-基板;S1-第一空間;S2-第二空間;20-氣體腔室;21-進氣孔;22-出氣孔;30-爐腔;31-熱絕緣層;41-上加熱元件;42-下加熱元件;θ-角度。
背景技術:10-熱處理的基板承載設備;101-底壁;102-支撐壁;103-基板。
具體實施方式
雖然本發(fā)明使用了幾個較佳實施例進行解釋,但是下列附圖及具體實施方式僅僅是本發(fā)明的較佳實施例;應說明的是,下面所揭示的具體實施方式僅僅是本發(fā)明的例子,并不表示本發(fā)明限于下列附圖及具體實施方式。
請同時參考圖2及圖3,其中,圖2表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備的結構示意圖,圖3表示本發(fā)明熱處理的基板承載設備完成承載后的結構示意圖。
本發(fā)明熱處理的基板承載設備1包括一底壁2、至少兩支撐壁3、至少兩凸出件4以及兩夾固件5、6。
底壁2及各支撐壁3形成晶舟(boat)結構,底壁2大致呈水平地設置,各支撐壁相互平行且相互間隔地設置在底壁3上,各支撐壁3大致與底壁2垂直,且各支撐壁3的兩側遠離底壁2的一端處,分別設置有一墊片31、32,墊片31、32為不會刮傷太陽能基板表面的材質,如塑膠材質等。
各凸出件4分別地設置在兩相鄰的支撐壁3之間,且與底壁2連接,兩相鄰的支撐壁3與一凸出件4之間分別具有一第一空間S1及一第二空間S2,第一空間S1及第二空間S2分別供一基板7、8插置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





