[發(fā)明專利]改善鍺硅發(fā)射極多晶硅摻雜擴(kuò)散均一性的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110442724.8
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN103177940A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉繼全;孫勤;陳帆
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/223
• 分類號(hào): H01L21/223;H01L21/20
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.改善鍺硅發(fā)射極多晶硅摻雜擴(kuò)散均一性的方法，其特征在于，在低壓化學(xué)氣相淀積多晶硅時(shí)，采用590～620℃的低溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，淀積多晶硅時(shí)，壓力值設(shè)定為300～800毫托。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括步驟：完成多晶硅淀積后，在關(guān)閉反應(yīng)氣體的同時(shí)，對多晶硅進(jìn)行退火處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，退火的起始溫度為低溫淀積多晶硅時(shí)的最高反應(yīng)溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，退火時(shí)，壓力設(shè)定為50～800毫托。