[發明專利]微柱結構CsI(Tl)X射線閃爍轉換屏的制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201110442455.5
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102496400A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 顧牡;姚達林;劉小林;劉波;黃世明;倪晨
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: G21K4/00
• 分類號: G21K4/00;G01T1/20
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 張磊

1.一種微柱結構CsI(Tl)?X射線閃爍轉換屏的制備方法，其特征在于具體步驟如下：

(1)?將所用襯底用超聲法清洗干凈，烘干后干燥保存；

(2)?將步驟(1)所得襯底固定在蒸鍍室上方的工件架上，然后將稱取的CsI(Tl)粉末置于蒸鍍舟內，蒸鍍舟與襯底間的距離在10-30cm之間，蒸鍍舟與襯底之間設有擋板；

(3)?打開真空泵，控制蒸鍍室的真空度為1.0×10^-6-5.0×10^-3Pa；

(4)?工件架配有加熱及旋轉設備，在抽真空過程中可調整襯底溫度，襯底溫度控制在室溫至350℃之間；在開始蒸鍍薄膜前使工件架以45-75rpm的轉速勻速旋轉；

(5)?待真空度及襯底溫度達到平衡后，可按需調節進氣閥，注入微量氬氣，氬氣流量控制在：≤?60sccm，或氣壓控制在：≤?6×10^-1Pa；打開蒸鍍舟加熱電源，將蒸鍍舟加熱至420-540℃，并保持溫度不變；

(6)?待蒸鍍舟達到預定溫度后，打開擋板，開始蒸發，通過測厚儀在線測量所制備轉換屏的薄膜厚度，待薄膜厚度達到預定要求后，關閉擋板、蒸鍍舟電源及襯底加熱電源；

(7)?真空環境自然冷卻至室溫后關閉真空閥，充入干燥氣體后取出，得到的CsI(Tl)閃爍轉換屏置于干燥環境中儲存。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中所述的襯底為玻璃、光纖面板或光纖錐中任一種。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(2)中所述CsI(Tl)原料的用量由所需制備的轉換屏薄膜厚度確定，并與蒸鍍舟和襯底間的距離有關。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟(4)和步驟(5)中所用的加熱設備均使用控溫系統。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所得微柱結構CsI(Tl)?X射線閃爍轉換屏的線寬為亞微米到十幾微米，晶面擇優取向分別為（110）和（200）。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所得微柱結構CsI(Tl)?X射線閃爍轉換屏的微柱近乎垂直于屏面，排列整齊。

7.一種如權利要求1所述制備方法得到的微柱結構CsI(Tl)?X射線閃爍轉換屏與光電探測器件耦合后在高分辨率X射線成像中的應用。