[發明專利]一種石墨烯電極、其制備方法和用途有效
| 申請號： | 201110442124.1 | 申請日： | 2011-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN102437207A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 彭鵬;金虎 | 申請（專利權）人： | 彭鵬 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人： | 王媛;鐘守期 |
| 地址： | 422000 湖南省邵陽*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 電極 制備 方法 用途 | ||
1.一種石墨烯電極，包括：
(1)兩個石墨烯膜(103；104)，其與沿石墨烯膜的整個邊緣設置的絕緣介質(105)圍成一個空間，
(2)選自離子液體和聚合物電解質中的至少一種的電解質(107)，其位于所述空間內；和
(3)兩個摻雜電極(106)，其分別設置于兩個石墨烯膜(103；104)上，并且位于所述空間之外，彼此不接觸。
2.權利要求1的石墨烯電極，其中所述兩個石墨烯膜(103；104)覆于基板(101；102)上，所述基板優選為透明基板。
3.權利要求1的石墨烯電極，其中所述電解質(107)為離子液體與聚合物電解質的組合。
4.權利要求1的石墨烯電極，其中所述離子液體為NaCl、KClO4、DEME-TFSI，優選DEME-TFSI；所述聚合物電解質為PEO、PEO/堿金屬鹽，優選KClO4/PEO。
5.權利要求1的石墨烯電極，其中所述石墨烯膜(103；104)的層數均為1-3，優選1-2。
6.權利要求1的石墨烯電極，其中所述石墨烯膜(103；104)之間的間距為50nm-500μm，優選100nm-50μm，更優選200-25μm。
7.一種電化學儲能裝置，包括權利要求1-6之一的石墨烯電極。
8.一種制備石墨烯電極的方法，包括
(1)制備兩個石墨烯膜(103；104)；
(2)沿石墨烯膜的整個邊緣設置一種絕緣介質(105)，與所述兩個石墨烯膜圍成一個空間；
(3)在所述空間內充入離子液體和聚合物電解質中的至少一種的電解質(107)；和
(4)在所述空間外的兩個石墨烯膜(103；104)上設置兩個彼此不接觸的摻雜電極(106)。
9.權利要求8的方法，其中所述摻雜電極(106)將電偏壓VG施加于所述石墨烯膜(103；104)，電偏壓VG為0至±10V，優選為±0.5至±5V，更優選為±2.5V。
10.權利要求1的石墨烯電極，其中所述摻雜電極(106)可以是鈦-金、金、銀、或金屬合金、或金屬或其合金的導電油墨。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
