[發明專利]電極共平面的發光二極管元件、封裝結構及光反射結構

有效

• 申請號: 201110442060.5
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN103178181A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 賴東升
• 申請（專利權）人: 茂邦電子有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/46
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種電極共平面的發光二極管元件，其特征在于，包含：

一元件基板；

一第一型摻雜層，其形成且設置在該元件基板上；

一第二型摻雜層，其形成且設置在部分的該第一型摻雜層上，該第二型摻雜層與該第一型摻雜層的交界面形成一發光層以發出光；

一透明導電金屬氧化物層，其形成且設置在該第二型摻雜層上供作為歐姆接觸層；

至少兩個不同極的電極第一部，其包含：至少一第一電極第一部，該第一電極第一部形成且設置在該第一型摻雜層上以與該第一型摻雜層電性導通；及至少一第二電極第一部，該第二電極第一部穿過該透明導電金屬氧化物層而形成且設置在該第二型摻雜層上以與該第二型摻雜層電性導通，其中該至少一第一電極第一部及該至少一第二電極第一部的頂面分別位于不同的高度位置；

一第一透明絕緣層，其形成且覆蓋在該元件基板、該第一型摻雜層、該第二型摻雜層及該透明導電金屬氧化物層的表面上，以使該至少一第一電極第一部及該至少一第二電極第一部能由該第一絕緣層向外顯露；

一第二絕緣層，其形成且覆蓋在該第一絕緣層及該至少一第一電極第一部和第二電極第一部上，該第二絕緣層的上表面為一均勻高度的平面，且該上表面上開設有至少兩個分開的凹槽以分別對應于該至少一第一電極第一部及第二電極第一部以使該至少一第一電極第一部及第二電極第一部能夠分別通過該至少兩個分開的凹槽而向外顯露，其中該至少兩個分開的凹槽的凹槽口為共平面；及

至少兩個分開且不同極的電極第二部，包含至少一第一電極第二部及至少一第二電極第二部，其利用至少一導電金屬以形成且分別填滿在該至少兩個分開的凹槽內供分別對應電性連結于該至少一第一電極第一部及該至少一第二電極第一部以形成至少兩個分開的一體式電極，且該至少兩個分開的電極第二部的上表面為共平面。

2.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，該至少兩個分開的凹槽的范圍是相對地擴大至涵蓋該發光層的大部分表面，以使形成在該至少兩個分開的凹槽內的該至少兩個分開且不同極的電極第二部作為該發光層發出的光的反射層，供能夠反射由該發光層發出并射向該反射層的光線。

3.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，該至少兩個分開且不同極的電極第二部利用濺鍍方法、電鍍方法、化鍍方法中一種形成方法以沉積形成。

4.如權利要求3所述的發光二極管元件，其特征在于，該至少兩個分開且不同極的電極第二部在沉積形成之后，能夠進一步通過磨平作業以使該至少兩個分開且不同極的電極第二部的上表面成為共平面。

5.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，該元件基板包含藍寶石基板及玻璃基板。

6.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，該第一型摻雜層及第二型摻雜層皆由一Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料所構成。

7.如權利要求6所述的發光二極管元件，其特征在于，該Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料為氮化鎵、磷化鎵及/或磷砷化鎵。

8.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，該透明導電金屬氧化物層的材質選自由氧化銦錫、氧化鈰錫、氧化銻錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化鋅所組成的族群。

9.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，當該第一型摻雜層為一N型摻雜層時，該第二型摻雜層為一P型摻雜層；當該第一型摻雜層為一P型摻雜層，該第二型摻雜層為一N型摻雜層。

10.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，當該至少兩個不同極的電極第一部以金構成時，該至少兩個分開且不同極的電極第二部利用錫為導電金屬以形成且分別填滿在該至少兩個分開的凹槽內供分別對應電性連結于該至少兩個不同極的電極第一部。

11.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于，當該至少兩個不同極的電極第一部以鋁構成時，該至少兩個分開且不同極的電極第二部先利用化鎳為導電金屬以在該至少兩個分開的凹槽內先形成一化鎳層供分別對應電性連結于該至少兩個電極第一部，再利用化金為導電金屬以在該化鎳層上形成一化金層。