[發明專利]一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板

無效

• 申請號: 201110441824.9
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102496670A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 沈常宇;金尚忠;李萍;鐘川;褚金雷;鄒新;牟晟
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：由氧化鋁層(1)、第一銅電極(2)、第二銅電極(3)和銅鋁氧化物改性層(4)組成；氧化鋁層(1)上為銅鋁氧化物改性層(4)，銅鋁氧化物改性層(4)上為第一銅電極(2)和第二銅電極(3)；第一銅電極(2)和第二銅電極(3)之間分隔距離范圍為0.1～1mm。

2.根據權利要求1所述一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于包括以下制備步驟：

①稱取試劑(三水鋁石(Al₂O₃·3H₂O)占60％的鋁礬土和氫氧化鈉(純度99.99％))，將這些組分充分混勻，靜置1～4小時，并過濾；

②將上述過濾后的混合物置于高溫爐中煅燒，煅燒溫度為1000～1400℃，煅燒時間為3～8小時；

③將上述燒結物粉碎，研磨過篩，細度為200～400目；

④用50～100℃去離子水洗滌過濾，100～150℃溫度下烘干，即得到α相Al₂O₃；

⑤將上述所得的α相Al₂O₃與助熔劑、粘結劑、分散劑混合置于高溫爐中煅燒，煅燒氣氛為氫氣，煅燒溫度為1500～1600℃；煅燒時間為1～3小時；然后在常溫中冷卻；再經過過模成型，制備出氧化鋁陶瓷基板。

⑥在上述氧化鋁陶瓷基板上采用真空鍍膜方式濺鍍銅金屬復合層，自下而上形成氧化鋁陶瓷基板層、銅鋁氧化物改性層和銅層；

⑦對上述基板上的銅層采用黃光微影刻蝕，蝕刻出LED芯片用第一銅電極和第二銅電極；并通過電鍍沉積方式增加電極的厚度，得到銅電極氧化鋁陶瓷基板。

3.根據權利要求2所述一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：步驟①中混勻的過程中可以加入適量的無水乙醇，以使其充分混合均勻。

4.根據權利要求2所述的一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：步驟②中燒結溫度升高的速率為50～100℃/小時。

5.根據權利要求2所述的一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：步驟⑤的混合原料中添加重量為原料總重量的2～5％的助熔劑、粘結劑、分散劑，所述的助熔劑為NH₄Cl，BaF，SrF₂中的一種或一種以上，所述的粘結劑為聚乙烯醇聚丁醛樹脂，所述的分散劑為魚油，鄰苯二甲酸二丁脂中的一種或一種以上。

6.根據權利要求2所述的一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：步驟⑥中的陶瓷基板層、銅鋁氧化物改性層和銅層的厚度范圍分別為1～3mm，0.01～0.1mm和0.1～1mm。

7.根據權利要求2所述的一種大功率LED用銅電極氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：步驟⑦中經過黃光刻蝕的到的銅電極的寬度范圍為50微米～1000微米。