[發明專利]基于硅襯底氮化物的光學微機電器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201110441613.5
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN102602878A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 王永進;朱洪波
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.一種基于硅襯底氮化物的光學微機電器件，實現載體為硅襯底III族氮化物晶片，包括硅襯底層，以及設置在硅襯底層上的頂層氮化物器件層，其特征在于：

所述硅襯底層具有硅結構；

所述頂層氮化物器件層位于硅結構正上方的部分具有微納米器件結構。

2.根據權利要求1所述的基于硅襯底氮化物的光學微機電器件，其特征在于所述微納米器件結構為納米光學器件結構以及微機電驅動器結構。

3.一種基于硅襯底氮化物的光學微機電器件的制備方法，選擇硅襯底III族氮化物晶片為實現載體，包括硅襯底層，以及設置在硅襯底層上的頂層氮化物器件層，其特征在于包括如下步驟：

步驟（1）：采用電子束蒸發技術在所述硅襯底III族氮化物晶片的頂層氮化物器件層上表面沉淀一層刻蝕掩模層；

步驟（2）：在所述刻蝕掩模層的上表面以及硅襯底層的下表面各旋涂一層光刻膠層；

步驟（3）：采用曝光技術在所述硅襯底層下表面的光刻膠層上定義硅結構；

步驟（4）：通過背后對準技術、雙面加工工藝和深硅刻蝕技術按照步驟（3）中定義的硅結構剝離硅襯底層，形成多個貫穿至所述頂層氮化物器件層下表面的空腔；

步驟（5）：采用曝光技術，在所述頂層氮化物器件層上表面的光刻膠層上定義微納米器件結構；

步驟（6）：采用離子束轟擊技術，將步驟（5）中定義的微納米器件結構傳遞至所述刻蝕掩模層；

步驟（7）：采用氮化物刻蝕技術，將頂層氮化物器件層按照步驟（5）中所述的微納米器件結構刻蝕穿透。

4.根據權利要求3所述的基于硅襯底氮化物的光學微機電器件的制備方法，其特征在于還包括如下操作：

步驟（8）：采用氧氣等離子體灰化工藝去除殘余的光刻膠層；

步驟（9）：采用BHF或Vapor?HF工藝去除殘余的刻蝕掩模層。

5.根據權利要求3所述的基于硅襯底氮化物的光學微機電器件的制備方法，其特征在于所述微納米器件結構為納米光學器件結構以及微機電驅動器結構。

6.根據權利要求3所述的基于硅襯底氮化物的光學微機電器件的制備方法，其特征在于：所述刻蝕掩模層為氧化鉿薄膜層或二氧化硅薄膜層。