[發明專利]薄膜太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201110441126.9
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN102569442A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 彭洞清;方嘉鋒
• 申請（專利權）人: 彭洞清
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種薄膜太陽能電池，包括：

一基板；

一第一電極，設置于該基板上；

一阻擋層，設置于該第一電極上，其中該阻擋層的材料為一導電材料；

一歐姆接觸層，設置于該阻擋層上；

一吸收層，設置于該歐姆接觸層上；

一緩沖層，設置于該吸收層上；

一透明導電層，設置于該緩沖層上；以及

一第二電極，設置于該透明導電層上。

2.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該阻擋層的材料為Al、La、Ta、Ir、Os、或其合金。

3.如權利要求2所述的薄膜太陽能電池，其中該阻擋層的材料為Al、La、或其合金。

4.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該阻擋層的材料摻雜有B、Al、或Ga。

5.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該歐姆接觸層為一硒化鉬層。

6.如權利要求5所述的薄膜太陽能電池，其中該歐姆接觸層的厚度為1-150nm。

7.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該第一電極為一鉬電極。

8.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該基板為一玻璃基板、一金屬基板、或一塑料基板。

9.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該金屬基板為一不銹鋼基板、一鈦基板、一銅基板、或一鉬基板。

10.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該吸收層為CIS吸收層、CIGS吸收層、CZTS吸收層、或CIAS吸收層。

11.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其中該透明導電層的材料為ITO、經Al摻雜的ZnO、或經In摻雜的ZnO。

12.一種薄膜太陽能電池的制作方法，包括下列步驟：

(A)提供一基板；

(B)形成一第一電極于該基板上；

(C)形成一阻擋層于該第一電極上，其中該阻擋層的材料為一導電材料；

(D)形成一含鉬金屬層于該阻擋層上；

(E)形成一吸收層前趨物于該含鉬金屬層上，并進行一硒化工藝或一硫化工藝，以反應該吸收層前趨物形成一吸收層，且反應該含鉬金屬層形成一歐姆接觸層；

(F)形成一緩沖層于該吸收層上；

(G)形成一透明導電層于該緩沖層上；以及

(H)形成一第二電極于該透明導電層上。

13.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該阻擋層的材料為Al、La、Ta、Ir、Os、或其合金。

14.如權利要求13所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該阻擋層的材料為Al、La、或其合金。

15.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該阻擋層的材料摻雜有B、Al、或Ga。

16.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該含鉬金屬層為一鉬層，且該歐姆接觸層是為一硒化鉬層。

17.如權利要求16所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該歐姆接觸層的厚度為1-150nm。

18.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該第一電極為一鉬電極。

19.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該基板為一玻璃基板、一金屬基板、或一塑料基板。

20.如權利要求19所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該金屬基板為一不銹鋼基板、一鈦基板、一銅基板、或一鉬基板。

21.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該吸收層為CIS吸收層、CIGS吸收層、CZTS吸收層、或CIAS吸收層。

22.如權利要求12所述的薄膜太陽能電池的制作方法，其中該透明導電層的材料為ITO、經Al摻雜的ZnO、或經In摻雜的ZnO。