[發(fā)明專利]EPON Triplexer OLT激光器保護(hù)模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110440521.5 | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102496837A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣旭;張書源 | 申請(專利權(quán))人: | 索爾思光電(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01S3/04 | 分類號: | H01S3/04;H01S5/024;H04Q11/00 |
| 代理公司: | 四川力久律師事務(wù)所 51221 | 代理人: | 林輝輪;王蕓 |
| 地址: | 611731 四川省成都市高新區(qū)西*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | epon triplexer olt 激光器 保護(hù) 模塊 | ||
1.EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,該保護(hù)模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅(qū)動電路,所述溫度控制驅(qū)動電路連接Triplexer激光器,所述Triplexer激光器包括10G?EML激光器和1.25G?DBF激光器,其中,10G?EML激光器內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體制冷器和溫度控制模塊,所述微處理器包括光模塊內(nèi)部溫度采集模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述微處理器通過激光器溫度設(shè)置和激光器溫度采集對溫度控制驅(qū)動電路實行閉環(huán)控制,將10G?EML激光器控制在設(shè)定的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述設(shè)定的溫度為45℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述溫度控制驅(qū)動電路為10G?EML激光器提供調(diào)節(jié)電流,微處理器通過調(diào)節(jié)電流采集,實現(xiàn)對調(diào)節(jié)電流的實時監(jiān)控,從而使得10G?EML激光器內(nèi)部溫度控制在45℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,當(dāng)10G?EML激光器的內(nèi)部溫度高于45℃時,溫度控制驅(qū)動電路對10G?EML激光器提供制冷電流,此制冷電流使10G?EML激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器制冷,實現(xiàn)對10G?EML激光器的溫度控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,當(dāng)10G?EML激光器的內(nèi)部溫度低于45℃時,溫度控制驅(qū)動電路對10G?EML激光器提供加熱電流,此加熱電流使10G?EML激光器內(nèi)部的半導(dǎo)體制冷器加熱,將10G?EML激光器內(nèi)部溫度控制在45℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,該保護(hù)模塊還包括10G激光器驅(qū)動電路,所述10G激光器驅(qū)動電路為10G?EML激光器提供驅(qū)動電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,當(dāng)10G?EML激光器內(nèi)部溫度超出設(shè)定的溫度范圍時,所述微處理器通過10G激光器關(guān)斷命令,自動關(guān)斷10G激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流,使得10G?EML激光器工作在內(nèi)部溫度為設(shè)定的溫度范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述設(shè)定的溫度范圍為40℃~50℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述微處理器通過10G激光器驅(qū)動電路,使得10G?EML激光器在高于第一下限溫度、且低于或等于第一上限溫度的溫度范圍內(nèi),其工作電流隨溫度升高而逐漸減小,進(jìn)而在滿足一定指標(biāo)的情況下10G?EML激光器的功耗減小。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述第一下限溫度為70℃。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,所述第一上限溫度為85℃。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,當(dāng)光模塊在70℃~85℃溫度范圍內(nèi)時,所述微處理器根據(jù)預(yù)先寫好的查找表,分別計算出不同溫度點對應(yīng)的10G?EML激光器偏置電流和調(diào)制電流,通過10G激光器光功率和消光比設(shè)置,控制10G激光器驅(qū)動電路逐漸減小10G?EML激光器的偏置電流和調(diào)制電流,使10G?EML激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護(hù)模塊,其特征在于,當(dāng)光模塊溫度高于第一上限溫度時,所述微處理器通過10G激光器關(guān)斷命令,自動關(guān)斷10G激光器驅(qū)動電路的驅(qū)動電流。
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