[發明專利]EPON Triplexer OLT激光器保護模塊

有效

• 申請號: 201110440521.5
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102496837A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 蔣旭;張書源
• 申請（專利權）人: 索爾思光電（成都）有限公司
• 主分類號: H01S3/04
• 分類號: H01S3/04;H01S5/024;H04Q11/00
• 代理公司: 四川力久律師事務所 51221
• 代理人: 林輝輪;王蕓

1.EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，該保護模塊包括微處理器、所述微處理器連接溫度控制驅動電路，所述溫度控制驅動電路連接Triplexer激光器，所述Triplexer激光器包括10G?EML激光器和1.25G?DBF激光器，其中，10G?EML激光器內部設置有半導體制冷器和溫度控制模塊，所述微處理器包括光模塊內部溫度采集模塊。

2.根據權利要求1所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述微處理器通過激光器溫度設置和激光器溫度采集對溫度控制驅動電路實行閉環控制，將10G?EML激光器控制在設定的溫度。

3.根據權利要求2所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述設定的溫度為45℃。

4.根據權利要求3所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述溫度控制驅動電路為10G?EML激光器提供調節電流，微處理器通過調節電流采集，實現對調節電流的實時監控，從而使得10G?EML激光器內部溫度控制在45℃。

5.根據權利要求4所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，當10G?EML激光器的內部溫度高于45℃時，溫度控制驅動電路對10G?EML激光器提供制冷電流，此制冷電流使10G?EML激光器內部的半導體制冷器制冷，實現對10G?EML激光器的溫度控制。

6.根據權利要求5所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，當10G?EML激光器的內部溫度低于45℃時，溫度控制驅動電路對10G?EML激光器提供加熱電流，此加熱電流使10G?EML激光器內部的半導體制冷器加熱，將10G?EML激光器內部溫度控制在45℃。

7.根據權利要求1至6之一所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，該保護模塊還包括10G激光器驅動電路，所述10G激光器驅動電路為10G?EML激光器提供驅動電流。

8.根據權利要求7所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，當10G?EML激光器內部溫度超出設定的溫度范圍時，所述微處理器通過10G激光器關斷命令，自動關斷10G激光器驅動電路的驅動電流，使得10G?EML激光器工作在內部溫度為設定的溫度范圍內。

9.根據權利要求8所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述設定的溫度范圍為40℃～50℃。

10.根據權利要求9所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述微處理器通過10G激光器驅動電路，使得10G?EML激光器在高于第一下限溫度、且低于或等于第一上限溫度的溫度范圍內，其工作電流隨溫度升高而逐漸減小，進而在滿足一定指標的情況下10G?EML激光器的功耗減小。

11.根據權利要求10所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述第一下限溫度為70℃。

12.根據權利要求10所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，所述第一上限溫度為85℃。

13.根據權利要求12所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，當光模塊在70℃～85℃溫度范圍內時，所述微處理器根據預先寫好的查找表，分別計算出不同溫度點對應的10G?EML激光器偏置電流和調制電流，通過10G激光器光功率和消光比設置，控制10G激光器驅動電路逐漸減小10G?EML激光器的偏置電流和調制電流，使10G?EML激光器的輸出光功率和消光比逐漸減小。

14.根據權利要求13所述的EPON?Triplexer?OLT激光器保護模塊，其特征在于，當光模塊溫度高于第一上限溫度時，所述微處理器通過10G激光器關斷命令，自動關斷10G激光器驅動電路的驅動電流。