[發明專利]一種半導體薄膜材料電容特性的測量方法及裝置

有效

• 申請號: 201110440351.0
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN102495295A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 郭天瑛;郭恩祥
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26;G01R31/26
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種特定電容器容量和品質的測量方法，其特征在于：把半導體薄膜材料做成一個特定電容器，并設定一個可測量參數η為電容差值率，所述電容差值率定義為電容真實值Cs和電容測試值Cp的差值與其平均值之比，通過測量特定電容器的電容測試值Cp、電導值Gp和測試頻率ω，計算電容差值率η、電容真實值Cs、串聯電阻Rs、高頻損耗tgδ或對應損耗角δ，計算公式為：

η=2GP2GP2+2ω2CP2,]]>CS=2+η2-η·CP,]]>RS=2η2+η·1GP,]]>

tgδ=ωRSCS=2η2-η,]]>δ=arctg2η2-η.]]>

2.一種如權利要求1所述半導體薄膜材料電容特性的測量裝置，其特征在于：包括絕緣底板、金屬平臺、探針支架、觀測顯微鏡、水銀球、水銀探針和升降轉輪，金屬平臺、探針支架和觀測顯微鏡分別通過槽鋼和螺釘與絕緣底板固定，圓片形半導體樣品通過耦合液體粘接固定在金屬平臺上，水銀球置于半導體樣品的表面，探針支架為倒L型結構，水銀探針通過升降轉輪與探針支架的橫梁固定，水銀探針與升降轉輪構成螺紋傳動且轉動升降轉輪使水銀探針升降，水銀探針下端面施壓于水銀球上并形成圓形水銀層，觀測顯微鏡設有測微標尺，下電極引線從金屬平臺引出，上電極引線從水銀探針引出，下電極引線和上電極引線分別通過導線與電容電導儀連接。

3.根據權利要求2所述半導體薄膜材料電容特性的測量裝置，其特征在于：所述圓形水銀層的直徑為0.5-5.0mm。