[發明專利]耐高溫、無鹵及耐離子遷移性的環氧樹脂膠粘劑

有效

• 申請號: 201110440015.6
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102533191A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 李磊;李成章;江林
• 申請（專利權）人: 云南云天化股份有限公司
• 主分類號: C09J163/00
• 分類號: C09J163/00;C09J179/08;C09J11/04;H05K1/03
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 謝殿武

技術領域

本發明涉及一種用于電路板基材的膠粘劑，具體涉及一種具有較高的綜合性能的環氧樹脂膠粘劑。

背景技術

電路板使電路小型化、直觀化，對于固定電路的批量生產和優化用電器布局起重要作用。隨著近代電子技術的快速發展，電路板也起著越來越不可替代的作用。電路板一般由線路與圖面(Pattern)和介電層(Dielectric)，介電層用來保持線路及各層之間的絕緣性以及被線路及圖面依附，也稱之為基材；基材具有承載電路的作用，因而需要具有較好的絕緣性(耐層間離子遷移性)，由于需要在電路上進行錫焊加工，因而需要基材具有較好的耐高溫性能及阻燃性能等，以提高電路板整體的可靠性和耐用性；電路板基材一般采用膠粘劑涂覆于玻璃布等補強材料表面，并通過干結以及熱壓制工藝形成板狀結構材料。

隨著世界對環境保護的要求越來越高，特別是ROHS《關于限制在電子電器設備中使用某些有害成分的指令》指令正式實施，全球電子行業進入了無鉛焊錫時代。而無鉛工藝焊接溫度比傳統元件焊接工藝溫度高，也對覆銅板行業提出了更高要求。需要基材具有更高玻璃化轉變溫度，更高熱分解溫度以及低熱膨脹系數。

對于傳統的FR4覆銅板，基材主要為含溴環氧雙酚A樹脂，其中，溴元素用于提高覆銅板的阻燃性能，但在燃燒過程中可能產生溴化氫腐蝕性氣體及二噁英致癌物質，對環境造成不良影響。

隨著電路板技術的高度發展，布線越來越密集，電路板層數越來越多，使得層間離子遷移導致電路板短路的概率也大大增加，解決電路板層間離子遷移的問題變得日益重要。

為解決上述問題，出現了采用丙烯基化合物改性的雙馬來酰亞胺(簡稱BMI)與磷系環氧樹脂混合，制得一種耐熱耐濕性優異，無鹵阻燃的環氧樹脂組合物，但其耐離子遷移性并不理想。還出現了一種采用溴化環氧樹脂與離子交換劑混合制得一種耐浸焊性和耐離子遷移性良好的環氧樹脂組合物，但其依然含有鹵素，在耐熱性上并無較大改變，并且依然會產生較大的污染，不利于環境保護。

因此，需要一種用于電路板的基材材料，具有較高玻璃化轉變溫度和熱分解溫度，不含有鹵素且具有較好的阻燃效果，符合環保要求，同時具有良好耐離子遷移性，適合用做制備電路板的基材。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的提供一種耐高溫、無鹵及耐離子遷移性的環氧樹脂膠粘劑，具有較高玻璃化轉變溫度和熱分解溫度，不含有鹵素且具有較好的阻燃效果，符合環保要求，同時具有良好耐離子遷移性，適合用做制備電路板的基材。

本發明的耐高溫、無鹵及耐離子遷移性的環氧樹脂膠粘劑，膠粘劑原料按重量份包括下列組分：無鹵環氧樹脂100份，丙烯基化合物改性的雙馬來酰亞胺70-280份，無機阻燃劑20-200份，無機離子交換劑0.1-5份；

所述膠粘劑為上述原料溶于有機溶劑調成膠狀物形成。

進一步，膠粘劑原料按重量份還包括下列組分：50份以下的固化劑，5份以下的固化促進劑；

進一步，所述丙烯基化合物改性的雙馬來酰亞胺由50-200份雙馬來酰亞胺和20-80份的丙烯基化合物混合，在100℃-150℃下反應20min-100min得到預聚體形成；

進一步，所述無鹵環氧樹脂為雙酚A環氧樹脂，雙酚F環氧樹脂，多官能基環氧樹脂中的一種或一種以上的混合物；無機阻燃劑為氫氧化鎂、氫氧化鋁和硼酸鹽中的一種或一種以上的混合物；無機離子交換劑為硅鋁酸鹽、水合氧化物、多價金屬酸性鹽和雜多酸中的一種或一種以上的混合物；所述雙馬來酰亞胺為4，4’-二苯甲烷雙馬來酰亞胺，4，4’-雙馬來酰亞胺基二苯砜，4，4’-雙馬來酰亞胺基二苯甲醚中的一種或一種以上的混合物；所述丙烯基化合物為二烯丙基雙酚A和二烯丙基雙酚S中的一種或二者的混合物；

進一步，所述固化劑為雙氰胺、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、甲基四氫基苯酐和甲基六氫基苯酐中的一種或一種以上的混合物；所述固化促進劑為咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑和二甲基咪唑中的一種或一種以上的混合物；

進一步，膠粘劑原料按重量份包括下列組分：無鹵環氧樹脂50份，丙烯基化合物改性的雙馬來酰亞胺75份，4，4’-二氨基二苯砜8份，2-乙基-4-甲基咪唑0.5份，氫氧化鋁65份，無機離子交換劑1.5份；

其中丙烯基化合物改性的雙馬來酰亞胺由50份雙馬來酰亞胺和25份的丙烯基化合物混合，在135℃-145℃下反應35分鐘得到預聚體形成；