[發明專利]微結構加工方法

無效

• 申請號: 201110439986.9
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN103178349A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 劉若鵬;趙治亞;法布里齊亞·蓋佐;金晶
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種微結構加工方法，該方法利用磁控濺射鍍膜裝置，包括以下步驟：

a、獲取超材料基片；

b、獲取圖案化的掩膜板；

c、將圖案化的掩膜板覆蓋在超材料基片上；

d、將該超材料基片固定于磁控濺射鍍膜裝置的陽極上，并將金屬片置于磁控濺射鍍膜裝置的、正對著基片的陰極上；

e、將磁控濺射鍍膜裝置的真空室抽成高真空，然后充入低壓惰性氣體；

f、在陽極和陰極之間加上預定電壓，使之產生輝光放電，然后經預定時間后斷開該預定電壓；

g、從超材料基片上揭去掩膜板即得到所需要的金屬微結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述超材料基片為環氧樹脂基片、陶瓷基片或鐵電體基片。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬片包括銅片、銀片、金片。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬微結構包括多個陣列排布的微結構單元，所述微結構單元為工字型或工字衍生型金屬線結構。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬微結構包括多個陣列排布的微結構單元，所述微結構單元為開口環型或開口環衍生型金屬線結構。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，利用電子束光刻方法來制備圖案化的掩膜。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述充入的惰性氣體是氬氣。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述陽極和所述陰極之間的預定電壓為直流電壓。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述陽極和所述陰極之間的預定電壓為交流電壓。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述陽極和所述陰極之間的預定電壓為射頻電壓。