[發明專利]一種制備焊料凸塊的方法有效
| 申請號: | 201110439629.2 | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102522347A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 蔡堅;王水弟;王謙;浦園園 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 南毅寧;王鳳桐 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 焊料 方法 | ||
1.一種制備焊料凸塊的方法,該方法包括:
提供硅圓片,在該硅圓片上需要制備焊料凸塊;
在所述硅圓片的形成有焊盤的一側上形成凸點下金屬化層;
在具有焊盤的位置處在所述凸點下金屬化層上制作焊料;
對所述焊料進行回流,并且在回流時采用與所述硅圓片平行的限高器來限制所形成的焊料凸塊的高度低于未使用限高器時所形成的焊球的高度以使得回流后所形成的焊料凸塊的上表面為平面。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述硅圓片的形成有焊盤的一側上形成凸點下金屬化層包括:
通過電子束蒸發或濺射工藝在所述硅圓片的形成有焊盤的一側上形成凸點下金屬化層。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,在具有焊盤的位置處在所述凸點下金屬化層上制作焊料包括:
在所述凸點下金屬化層上形成掩膜;
對位于所述焊盤上方的掩膜進行刻蝕直到露出所述凸點下金屬化層;
在所述凸點下金屬化層上制作焊料;
去除刻蝕后所剩余的掩膜。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,在具有焊盤的位置處在所述凸點下金屬化層上制作焊料包括:
去除所述凸點下金屬化層使得僅留下位于所述焊盤上方的凸點下金屬化層;
在所述凸點下金屬化層上通過絲網印刷法制作焊料。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述限高器為被固定在所述硅圓片上方并且與所述硅圓片平行的平板。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述限高器為上內壁為平面的容器,并且在對所述焊料進行回流時,將制作了焊料后的硅圓片放置到所述容器內,該容器的上內壁與所述硅圓片平行并且所述上內壁與所述硅圓片之間的距離小于不使用所述容器時所形成的焊球的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





