[發(fā)明專利]PVD設(shè)備工藝控制方法和PVD設(shè)備工藝控制裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110439122.7 | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN103173734A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊洋 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pvd 設(shè)備 工藝 控制 方法 裝置 | ||
1.一種PVD設(shè)備工藝控制方法,其特征在于,包括下列步驟:
步驟1,控制加熱裝置以第一設(shè)定功率對反應(yīng)腔室進(jìn)行加熱;
步驟2,對所述反應(yīng)腔室的溫度進(jìn)行檢測,得出所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度;
步驟3,判斷所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度是否大于第一設(shè)定溫度;若是,則執(zhí)行步驟4;否則,返回步驟1;
步驟4,控制所述加熱裝置以第二設(shè)定功率對所述反應(yīng)腔室進(jìn)行加熱,執(zhí)行步驟5;
步驟5,判斷所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度是否小于第二設(shè)定溫度;若是,則返回步驟1;否則,返回步驟4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVD設(shè)備工藝控制方法,其特征在于,所述方法,還包括時間監(jiān)控步驟:
在開始執(zhí)行步驟1的同時,啟動計(jì)時器;
在執(zhí)行步驟1至步驟5的過程中,判斷所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間小于或者等于預(yù)設(shè)時長;
若判斷出所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間等于預(yù)設(shè)時長,則停止執(zhí)行所述PVD設(shè)備工藝控制方法;
若判斷出所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間小于預(yù)設(shè)時長,則繼續(xù)執(zhí)行所述判斷所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間小于或者等于預(yù)設(shè)時長的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PVD設(shè)備工藝控制方法,其特征在于,所述第一設(shè)定溫度根據(jù)警告溫度設(shè)置,所述第二設(shè)定溫度根據(jù)所述第一設(shè)定溫度設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PVD設(shè)備工藝控制方法,其特征在于,所述第一設(shè)定溫度小于警告溫度,所述第二設(shè)定溫度小于所述第一設(shè)定溫度,所述第二設(shè)定功率小于所述第一設(shè)定功率。
5.一種PVD設(shè)備工藝控制裝置,其特征在于,包括:
第一控制模塊,用于控制加熱裝置以第一設(shè)定功率對反應(yīng)腔室進(jìn)行加熱;
溫度檢測模塊,用于對所述反應(yīng)腔室的溫度進(jìn)行檢測,得出所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度;
第一判斷模塊,用于判斷所述溫度檢測模塊檢測得出的所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度是否大于第一設(shè)定溫度;
第二控制模塊,用于根據(jù)所述第一判斷模塊判斷出的所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度大于所述第一設(shè)定溫度,控制所述加熱裝置以第二設(shè)定功率對所述反應(yīng)腔室進(jìn)行加熱;
第二判斷模塊,用于判斷所述溫度檢測模塊檢測得出的所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度是否小于第二設(shè)定溫度;
第三控制模塊,用于根據(jù)所述第二判斷模塊判斷出的所述反應(yīng)腔室的當(dāng)前腔室溫度小于第二設(shè)定溫度,觸發(fā)所述第一控制模塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的PVD設(shè)備工藝控制裝置,其特征在于,還包括:
計(jì)時器控制模塊,用于在所述第一控制模塊開始執(zhí)行所述控制加熱裝置以第一設(shè)定功率對反應(yīng)腔室進(jìn)行加熱的同時,啟動計(jì)時器;
第三判斷模塊,用于判斷所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間小于或者等于預(yù)設(shè)時長,若判斷出所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間小于預(yù)設(shè)時長,繼續(xù)執(zhí)行所述判斷所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間小于或者等于預(yù)設(shè)時長的步驟;
停止模塊,用于若所述第三判斷模塊判斷出所述計(jì)時器記錄的執(zhí)行時間等于預(yù)設(shè)時長,停止執(zhí)行所述PVD設(shè)備工藝控制方法。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的PVD設(shè)備工藝控制裝置,其特征在于,所述第一設(shè)定溫度根據(jù)警告溫度設(shè)置,所述第二設(shè)定溫度根據(jù)所述第一設(shè)定溫度設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的PVD設(shè)備工藝控制裝置,其特征在于,所述第一設(shè)定溫度小于警告溫度,所述第二設(shè)定溫度小于所述第一設(shè)定溫度,所述第二設(shè)定功率小于所述第一設(shè)定功率。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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