[發明專利]具有浪涌電流保護的半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110438836.6
• 申請日: 2007-05-01
• 公開（公告）號: CN102522432A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 伊格爾·桑金;約瑟夫·尼爾·梅里特
• 申請（專利權）人: SSSCIP有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/868
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種半導體器件，包括：

n-型SiC半導體材料的離散凸起區，其處于n-型SiC半導體襯底層上，其中所述n-型SiC半導體材料的離散凸起區具有上表面和側壁，并且其中所述SiC半導體襯底層延伸至所述側壁之外；

p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區，其處于所述n-型SiC半導體材料的所述上表面上；

歐姆接觸，其處于所述p-型SiC的一個或多個離散凸起區上；

一個或多個介電材料層，其位于延伸至所述n-型SiC半導體材料的離散區的外圍之外的所述SiC半導體襯底層上，并且還位于所述n-型區的所述側壁上；以及

第一金屬層，其處于以下部件上并且與其相接觸：所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區之上的歐姆接觸；以及鄰近于且處于所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區之間的n-型SiC半導體材料的離散凸起區的上表面之上的歐姆接觸，

其中所述第一金屬層與所述n-型SiC半導體材料的離散凸起區的上表面上的n-型SiC半導體材料形成肖特基結。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括在與所述n-型半導體材料層相對的所述半導體襯底層上的歐姆接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括第二金屬層，其與所述n-型半導體材料層相對的所述半導體襯底層上的歐姆接觸相接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述n-型SiC襯底的摻雜濃度大于1×10¹⁸cm^-3。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述n-型SiC半導體區的摻雜濃度為5×10¹⁴-1×10¹⁷cm^-3。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區的摻雜濃度均為5×10¹⁴-1×10¹⁷cm^-3。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述n-型SiC半導體區的厚度為0.75μm-100μm。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區和所述p-型SiC半導體材料的連續凸起區的厚度均為0.2-5μm。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述歐姆接觸材料包括鎳。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中用鋁對所述p-型SiC半導體材料進行摻雜。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中用氮對所述n-型SiC半導體材料進行摻雜。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述一個或多個介電材料層包括氧化層。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區均具有上表面和側壁，并且其中所述歐姆接觸形成在所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區的上表面上。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中肖特基金屬處于所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區的上表面上的歐姆接觸上。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述p-型SiC半導體材料的一個或多個離散凸起區為外延區。

16.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述n-型SiC半導體材料的離散凸起區為外延區。