[發(fā)明專利]柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110438704.3
• 申請(qǐng)日: 2011-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN102496565A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王赫;喬在祥;趙彥民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所
• 主分類號(hào): H01L21/203
• 分類號(hào): H01L21/203;H01L31/18
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.一種柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，包括長(zhǎng)方體狀沉積薄膜室，其特征在于：所述沉積薄膜室內(nèi)部包括襯底、滾軸、四個(gè)腔室、熱電偶、加熱板、傳感器、蒸發(fā)源、光譜儀，所述沉積薄膜室外部包括變速電機(jī)、PID控制器和抽真空泵；所述兩個(gè)相互平行、帶動(dòng)襯底行進(jìn)用的滾軸架于沉積薄膜室相對(duì)應(yīng)的兩長(zhǎng)壁上部；四個(gè)腔室并排于沉積薄膜室內(nèi)底面上，分別作為放置蒸發(fā)源的第一室、第二室、第三室，和放置光譜儀的第四室；連接有熱電偶的加熱板分別位于第一室、第二室、第三室對(duì)應(yīng)的襯底上方；傳感器分別位于第二室、第三室對(duì)應(yīng)的襯底上方；連接有熱電偶的加熱器分別置于第一室、第二室、第三室內(nèi)每一個(gè)蒸發(fā)源的下面；第二室和第三室的襯底上方還分別置有傳感器；所述變速電機(jī)與滾軸連接；所述PID控制器分別與所述熱電偶、加熱板、傳感器、加熱器和光譜儀連接；所述第一室、第二室、第三室和第四室各密封穿入一個(gè)抽真空泵，所述沉積薄膜室密封穿入抽真空泵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述第一室內(nèi)蒸發(fā)源為Ga、In、Na源和Se；所述第二室為Cu、In、Ga和Se；所述第三室內(nèi)蒸發(fā)源為Ga和In。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述蒸發(fā)源Ga、In、Na的排列順序自左至右為Ga-In-Cu、In-Ga-Cu、Cu-Ga-In或Ga-Cu-In的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述Na源為NaF。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述抽真空泵為4個(gè)渦輪分子泵、1個(gè)羅茨泵和1個(gè)機(jī)械泵；羅茨泵和機(jī)械泵通向沉積薄膜室、4個(gè)渦輪分子泵分別通向第一室至第四室。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述襯底不銹鋼、鈦箔或聚酰亞胺塑料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述沉積薄膜室和四個(gè)腔室均為不銹鋼板無(wú)縫焊接構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述靠近終端滾軸的沉積薄膜室內(nèi)壁上焊有與沉積薄膜室外部水源相通的水冷管路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述相鄰腔室之間置有高度高于蒸發(fā)源、低于行進(jìn)中襯底面的Mo金屬板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性襯底上卷對(duì)卷沉積吸收層用裝置，其特征在于：所述對(duì)應(yīng)于第二室和第三室的柔性襯底上方各為三個(gè)傳感器，分別位于柔性襯底上面的兩端和中間部位。