[發(fā)明專利]橫向排列的像素結構、液晶顯示裝置及其制作方法

有效

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• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN103176320A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設計）人: 簡守甫;夏志強;曹兆鏗
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特征在于，包括：

由沿第一方向相鄰的兩個主像素區(qū)組成的像素單元，其中，每個主像素區(qū)分別包括沿第二方向依次排列的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)、第三子像素區(qū)，所述第一方向與所述第二方向基本垂直；

六個薄膜晶體管，分別設置于對應的子像素區(qū)內；

設置于每個子像素區(qū)內且與對應的薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，所述像素電極覆蓋在子像素區(qū)的透光區(qū)上；

平行于所述第一方向，且分別設置于每個主像素區(qū)內的相鄰兩個子像素區(qū)之間的兩條柵極線；

平行于所述第二方向，且分別設置于所述像素單元的兩個主像素區(qū)之間或者設置于兩個主像素區(qū)之外三條數據線；

平行于所述柵極線的一條像素公共線，該像素公共線與第一子像素區(qū)的像素電極部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲電容；

其中，每條數據線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，并且，不同的數據線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數據線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；

第二子像素區(qū)的像素電極和與其對應的薄膜晶體管的柵極電連接的柵極線對側的柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲電容；

第三子像素區(qū)的像素電極與下一像素單元的像素公共線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲電容，所述下一像素單元為在第二方向上與本像素單元的第三子像素區(qū)緊鄰的像素單元。

2.根據權利要求1所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特征在于，對于采用TN驅動方式的液晶顯示裝置，所述子像素區(qū)為長方形區(qū)域，所述長方形區(qū)域的長邊與柵極線平行。

3.根據權利要求1所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特征在于，對于采用IPS或FFS驅動方式的液晶顯示裝置，所述像素結構采用單疇模式、雙疇模式或多疇模式。

4.根據權利要求3所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特征在于，所述像素結構采用單疇模式時，所述子像素區(qū)為長方形區(qū)域，所述長方形區(qū)域的長邊與柵極線平行；

所述像素結構采用雙疇模式時，所述子像素區(qū)為人字形區(qū)域，所述像素電極為人字形電極。

5.根據權利要求1所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特征在于，兩條柵極線包括：第一柵極線和第二柵極線；所述兩個主像素區(qū)包括：第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)；

所述像素單元中的兩個主像素區(qū)中的第一子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極均與所述第一柵極線相連；

所述第一主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極與所述第一柵極線相連，所述第二主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極與所述第二柵極線相連，所述第一主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的像素電極與所述第二柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲電容，所述第二主像素區(qū)的第二子像素區(qū)的像素電極與所述第一柵極線部分交疊，形成該子像素區(qū)的存儲電容；

所述像素單元中的兩個主像素區(qū)中的第三子像素區(qū)的薄膜晶體管的柵極均與所述第二柵極線相連。

6.根據權利要求5所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，其特征在于，所述三條數據線包括：順序排列的第一數據線、第二數據線和第三數據線；

所述第一主像素區(qū)位于所述第一數據線和第二數據線之間，所述第二主像素區(qū)位于所述第二數據線和第三數據線之間。

7.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括：

第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層；

其中，所述第一基板上包括：

權利要求1-6任一項所述的雙柵極驅動的橫向排列的像素結構，所述像素單元呈陣列式重復排列；

平行于所述柵極線的一條邊緣公共線，位于所述第一基板未設置像素公共線的一邊，與該邊緣公共線緊鄰的第三子像素區(qū)的像素電極與該邊緣公共線部分交疊，形成該第三子像素區(qū)的存儲電容。