[發明專利]使用兩層式結構涂層來制造構件的方法

有效

• 申請號: 201110436563.1
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN102560481A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: R·S·班克;D·M·利普金
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C23C26/00
• 分類號: C23C26/00;C23C28/00;F01D5/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李強;譚祐祥

1.一種制造構件(100)的方法，所述方法包括：

使第一結構涂層層(54)淀積在襯底(110)的外表面(112)上，其中，所述襯底(110)具有至少一個空心內部空間(114)；

通過所述第一結構涂層層(54)而加工所述襯底(110)，以在所述第一結構涂層層(54)中限定一個或多個開口(58)，以及在所述襯底(110)的所述外表面(112)中形成相應的一個或多個凹槽(132)，其中，所述一個或多個凹槽(132)中的各個均具有基部(134)，并且至少部分地沿著所述襯底(110)的所述表面(112)延伸；以及

使所述第二結構涂層層(56)淀積在所述第一結構涂層層(54)上面以及在所述一個或多個凹槽(132)上面，使得所述一個或多個凹槽(132)和所述第二結構涂層層(56)共同限定一個或多個通道(130)以冷卻所述構件(100)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

通過所述第一結構涂層層(54)中的相應的一個或多個開口(58)而用填料(32)填充所述一個或多個凹槽(132)，其中，所述第二結構涂層層(56)淀積在所述第一結構涂層層(54)上面以及在設置在所述一個或多個凹槽(132)中的所述填料(32)上面；

在已經淀積所述第二結構涂層層(56)之后，從所述一個或多個凹槽(132)中移除所述填料(32)；以及

通過所述凹槽(132)中的相應的一個的所述基部(134)而形成一個或多個進入孔(140)，以將相應的凹槽(132)連接成與所述至少一個空心內部空間(114)中的相應的一些處于流體連通，以及其中，在用所述填料(32)填充所述凹槽(132)之前形成所述一個或多個進入孔(140)。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述第二結構涂層層(56)淀積在所述一個或多個凹槽(132)上面時，未填充所述一個或多個凹槽(132)。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

使額外的涂層層(50)淀積在所述第二結構涂層層(56)上面；以及

在淀積所述第一結構涂層層(54)之后執行熱處理，

其中，通過執行下者中的至少一個來淀積所述第一結構涂層層和第二結構涂層層(54，56)：等離子區淀積、熱噴涂過程和冷噴涂過程。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

在加工所述襯底(110)之前，使短時涂層(30)淀積在所述第一結構涂層層(54)上，其中，通過所述短時涂層(30)和所述第一結構涂層層(54)兩者而加工所述襯底(110)，以及其中，所述加工在所述短時涂層(30)中形成一個或多個開口(34)；以及

在淀積所述第二結構涂層層(56)之前，移除所述短時涂層(30)。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

通過所述第一結構涂層層(54)中的相應的一個或多個開口(58)而用填料(32)來填充所述一個或多個凹槽(132)，其中，所述第二結構涂層層(56)淀積在所述第一結構涂層層(54)上面以及在設置在所述一個或多個凹槽(132)中的所述填料(32)上面，其中，在用所述填料(32)填充所述凹槽之前，移除所述短時涂層(30)；

對所述填料(32)進行干燥、固化或燒結；以及

在已經淀積所述第二結構涂層層(56)之后，從所述一個或多個凹槽(132)中移除所述填料(32)。