[發(fā)明專利]晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110436333.5 | 申請日： | 2011-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN103178052A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 薛全欽 | 申請（專利權(quán)）人： | 奇景光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 接合 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其包含：
第一晶片，其具有第一表面，該第一表面上設(shè)有多個第一溝槽，該多個第一溝槽分別設(shè)在該第一晶片的橫向直徑上及縱向直徑上，且設(shè)在該第一晶片的橫向直徑上的各該第一溝槽具有與該第一晶片的橫向直徑平行的長度及與該第一晶片的縱向直徑平行的寬度，設(shè)在該第一晶片的縱向直徑上的各該第一溝槽具有與該第一晶片的縱向直徑平行的長度及與該第一晶片的橫向直徑平行的寬度；
第二晶片，其具有第二表面，該第二表面上設(shè)有多個第二溝槽，該多個第二溝槽分別設(shè)在該第二晶片的縱向直徑及橫向直徑上，且設(shè)在該第二晶片的橫向直徑上的第二溝槽具有與該第二晶片的橫向直徑平行的長度及與該第二晶片的縱向直徑平行的寬度，設(shè)在該第二晶片的縱向直徑上的第二溝槽具有與該第二晶片的縱向直徑平行的長度及與該第二晶片的橫向直徑平行的寬度，其中該第一晶片的第一表面與該第二晶片的第二表面接合，該第一晶片的橫向直徑與縱向直徑分別與該第二晶片的橫向直徑與縱向直徑重合，而各該第一溝槽與各該第二溝槽具有重合區(qū)域；以及
多個嵌入件，其設(shè)置在各該重合區(qū)域的各該第一溝槽與各該第二溝槽中。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中該第一晶片與該第二晶片更分別具有多個第一對準(zhǔn)標(biāo)記與多個第二對準(zhǔn)標(biāo)記，各該第一對準(zhǔn)標(biāo)記與各該第二對準(zhǔn)標(biāo)記對合。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中這些第一對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在該第一晶片的橫向直徑或縱向直徑上，且這些第二對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在該第二晶片的橫向直徑或縱向直徑上。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該嵌入件的寬度大體上等于對應(yīng)的各該第一溝槽的該寬度與各該第二溝槽的該寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該嵌入件的寬度約介于100微米(μm)～400微米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該嵌入件的長度大體上小于對應(yīng)的各該第一溝槽與各該第二溝槽的重合部位的長度。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該嵌入件為球體或長條體。
8.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該嵌入件包括玻璃。
9.如權(quán)利要求1所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中該第一晶片或該第二晶片包括硅晶片、玻璃晶片、透鏡晶片、或傳感器晶片。
10.一種晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其包含：
第一晶片，其具有第一表面，該第一表面上設(shè)有多個溝槽，該多個溝槽分別設(shè)在該第一晶片的橫向直徑上及縱向直徑上，且設(shè)在該第一晶片的橫向直徑上的各該溝槽具有與該第一晶片的橫向直徑平行的長度及與該第一晶片的縱向直徑平行的寬度，設(shè)在該第一晶片的縱向直徑上的各該溝槽具有與該第一晶片的縱向直徑平行的長度及與該第一晶片的橫向直徑平行的寬度；
第二晶片，其具有第二表面，該第二表面上設(shè)有多個凸起部，該多個凸起部分別設(shè)在該第二晶片的縱向直徑及橫向直徑上，且設(shè)在該第二晶片的橫向直徑上的凸起部具有與該第二晶片的橫向直徑平行的長度及與該第二晶片的縱向直徑平行的寬度，設(shè)在該第二晶片的縱向直徑上的凸起部具有與該第二晶片的縱向直徑平行的長度及與該第二晶片的橫向直徑平行的寬度，其中該第一晶片的第一表面與該第二晶片第二表面接合，該第一晶片的橫向直徑與縱向直徑分別與該第二晶片的橫向直徑與縱向直徑重合，而各該凸起部嵌入對應(yīng)的各該凹槽中。
11.如權(quán)利要求10所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中該第一晶片與該第二晶片更分別具有多個第一對準(zhǔn)標(biāo)記與多個第二對準(zhǔn)標(biāo)記，各該第一對準(zhǔn)標(biāo)記與各該第二對準(zhǔn)標(biāo)記對合。
12.如權(quán)利要求11所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中這些第一對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在該第一晶片的橫向直徑或縱向直徑上，且這些第二對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在該第二晶片的橫向直徑或縱向直徑上。
13.如權(quán)利要求10所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該凸起部的該寬度約等于對應(yīng)的各該溝槽的該寬度。
14.如權(quán)利要求10所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該凸起部的該寬度約介于100μm～400μm之間。
15.如權(quán)利要求10所述的晶片對晶片接合結(jié)構(gòu)，其中各該凸起部的該長度小于對應(yīng)的各該溝槽的該長度。
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