[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201110436204.6
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN103178091A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 鄧永平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括第一導電類型襯底以及在第一導電類型襯底上依次形成的柵氧化層及多晶硅柵極；所述第一導電類型襯底包括第一導電類型的深阱區和第二導電類型的漂移區，所述第一導電類型的深阱區中設置有源極，所述第二導電類型的漂移區中設置有漏極區域；其特征在于，所述漏極區域包括不連續的第一漏極區域及第二漏極區域，且在所述遠離柵極結構的第二漏極區域上形成有漏極。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

3.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方法，包括：

提供第一導電類型襯底；

在所述第一導電類型襯底中形成第二導電類型的漂移區和第一導電類型的深阱區；

在所述襯底上依次沉積柵氧化層和多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成圖案化光刻膠，以圖案化光刻膠作為掩膜刻蝕多晶硅層及柵氧化層形成柵極結構及阻擋結構，所述阻擋結構位于所述漂移區對應漏極位置的襯底上，并在所述柵極結構和阻擋結構外側形成側壁，以暴露位于所述深阱區對應源極位置的襯底，和部分對應漏極位置的襯底；

以所述柵極結構、阻擋結構及側壁作為阻擋對襯底進行第二導電類型離子注入，形成源極區域，以及由所述阻擋結構及其側壁分隔而形成的不連續的第一漏極區域及第二漏極區域，并在所述源極區域上形成源極，在所述遠離柵極結構的第二漏極區域上形成漏極。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述阻擋結構的寬度為0.13μm；所述阻擋結構距柵極結構的距離為0.14μm。