[發明專利]分離柵快閃存儲單元制造方法

無效

• 申請號: 201110435923.6
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN103178018A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 劉艷;周儒領;詹奕鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種分離柵快閃存儲單元的制造方法，包括，

提供半導體基底，在所述半導體基底上依次形成浮柵氧化層、浮柵多晶硅、柵間介質層、控制柵多晶硅、控制柵氮化硅層、控制柵氧化硅層、控制柵硬掩膜層；

在所述控制柵硬掩膜層上形成圖案化的第一光刻膠，并以所述第一光刻膠為掩膜刻蝕所述控制柵硬掩膜層、控制柵氧化硅層、控制柵氮化硅層、控制柵多晶硅、柵間介質層，以露出浮柵多晶硅，形成第一凹槽和第二凹槽，以及所述第一凹槽和第二凹槽之間的控制柵結構；

去除所述第一光刻膠，在所述控制柵結構兩側形成控制柵側壁層；

在所述第一凹槽內形成第二光刻膠，以所述第二光刻膠為掩膜對所述第二凹槽底的半導體基底進行離子注入形成漏極后，刻蝕去除所述第二凹槽底的浮柵多晶硅；

去除所述第二光刻膠，在所述第二凹槽和第一凹槽側壁上形成浮柵側壁層；

刻蝕去除所述第一凹槽底的浮柵多晶硅和第二凹槽的部分浮柵氧化層；

在所述第一凹槽側壁及底部沉積形成擦除柵隧穿氧化層；

沉積多晶硅，在所述擦除柵隧穿氧化層上形成擦除柵，并在所述第二凹槽內形成字線。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制柵側壁層由氧化物-氮化物復合層構成。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵間介質層由氧化物-氮化物-氧化物的復合層構成。