[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于LED中的P型GaN初始層的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110435911.3 | 申請日： | 2011-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN103178166A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周健華;邢志剛;陳耀;彭昀鵬;潘堯波;郝茂盛 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海藍(lán)光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 應(yīng)用于 led 中的 gan 初始 制備 方法 | ||
1.一種應(yīng)用于LED中的P型GaN初始層的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括以下步驟：
1)在LED生長量子阱完成后向反應(yīng)室通入Mg源，使所述Mg源與所述反應(yīng)室中的NH3在第一溫度下反應(yīng)以減弱所述Mg源在所述反應(yīng)室中的記憶效應(yīng)；
2)在第二溫度下生長P型GaN層的步驟；以及
3)在第三溫度下生長P型GaN層的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于LED中的P型GaN初始層的制備方法，其特征在于：所述Mg源的濃度流量為0.1～1.0umole/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于LED中的P型GaN初始層的制備方法，其特征在于：所述第一溫度的范圍為700～1100℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于LED中的P型GaN初始層的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中，所述第二溫度的范圍為700～950℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于LED中的P型GaN初始層的制備方法，其特征在于：所述步驟3)中，所述第三溫度的范圍為850～1100℃。
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