[發明專利]半導體器件和在半導體管芯上方形成集成無源器件的方法

有效

• 申請號: 201110434955.4
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102623391A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 林耀劍;劉凱;陳康
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;H01L23/52;H01L23/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體管芯；

在第一半導體管芯上方形成第一電感器；

在第一電感器上方形成第二電感器并使其與第一電感器對準；

在第一半導體管芯以及第一和第二電感器上方形成絕緣層；以及

在絕緣層上方形成導電橋并電連接在第二電感器與第一半導體管芯之間。

2.權利要求1的方法，還包括：

提供第二半導體管芯；以及

在第一和第二半導體管芯之間形成導電層。

3.權利要求1的方法，其中，所述絕緣層在第一半導體管芯的覆蓋區外面具有第一厚度且在第一半導體管芯的覆蓋區上方具有大于第一厚度的第二厚度。

4.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體管芯；

在第一半導體管芯上方形成第一電感器；以及

在第一電感器上方形成第二電感器并使其與第一電感器對準。

5.權利要求4的方法，還包括：

在第一半導體管芯以及第一和第二電感器上方形成絕緣層；以及

在絕緣層上方形成導電橋并電連接在第二電感器與第一半導體管芯之間。

6.權利要求5的方法，其中，所述絕緣層在第一半導體管芯的覆蓋區外面具有第一厚度且在第一半導體管芯的覆蓋區上方具有大于第一厚度的第二厚度。

7.權利要求4的方法，還包括：

提供第二半導體管芯；以及

在第一和第二半導體管芯之間形成導電層。

8.一種半導體器件，包括：

第一半導體管芯；

第一電感器，其在第一半導體管芯上方形成；

第二電感器，其在第一電感器上方形成且與第一電感器對準；

絕緣層，其在第一半導體管芯以及第一和第二電感器上方形成；以及

導電橋，其在絕緣層上方形成且電連接在第二電感器與第一半導體管芯之間。

9.權利要求8的半導體器件，還包括：

第二半導體管芯；以及

導電層，其在第一和第二半導體管芯之間形成。

10.權利要求8的半導體器件，其中，所述絕緣層在第一半導體管芯的覆蓋區外面具有第一厚度且在第一半導體管芯的覆蓋區上方具有大于第一厚度的第二厚度。