[發明專利]等離激元增強型中間帶太陽能電池及其光電轉換薄膜材料有效
| 申請號: | 201110433689.3 | 申請日: | 2011-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN102496639A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發明(設計)人: | 張振宇;曾長淦;許小亮;崔萍;藍海平 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 彭茜茜;白益華 |
| 地址: | 230026*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 離激元 增強 中間 太陽能電池 及其 光電 轉換 薄膜 材料 | ||
1.一種等離激元增強型中間帶太陽能電池,其特征在于,所述電池包括:
襯底;
設在襯底上的背電極;
設在背電極上的互補型薄膜;
設在所述互補型薄膜上的光電轉換薄膜材料;其中,所述光電轉換薄膜材料包括具有中間能帶的光電轉換層、以及設在所述光電轉換層上的輔助吸光的納米金屬結構層;
絕緣層;以及
金屬電極。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述具有中間能帶的光電轉換層的母體材料采用TiO2、ZnO、Si或III-V族半導體材料,優選采用TiO2。
3.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述具有中間能帶的光電轉換層的母體材料含有1~5原子%的雜質原子或雜質原子對,所述百分比以半導體材料的摩爾比計。
4.如權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,所述雜質原子是不對等或非補償型的n-p共摻雜的雜質原子。
5.如權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,所述雜質原子對為不對等或非補償型的n型與p型原子對組合;
優選地,所述雜質原子對為不對等n型與p型原子對組合,
在一個優選例中,摻入母體材料的n型原子貢獻電子而p型原子貢獻空穴,但是兩者貢獻的電子數與空穴數不對等。
6.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述具有中間能帶的光電轉換層中,引入的中間能帶Ei位于其母體材料的價帶頂Ev與導帶底Ec之間。
7.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述納米金屬結構層的金屬采用Ag、Al、Cu或其組合;所述納米金屬結構層采用的納米結構為納米球或納米殼層。
8.一種用于等離激元增強型太陽能電池的光電轉換薄膜材料,其特征在于,所述光電轉換薄膜材料包括:
具有中間能帶的光電轉換層;
設在所述光電轉換層上的輔助吸光的納米金屬結構層。
9.一種如權利要求8所述的光電轉換薄膜材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
i),提供具有中間能帶的光電轉換層;
ii),在所述具有中間能帶的光電轉換層通過光刻或自組裝方法建筑納米金屬結構層。
10.一種如權利要求8所述的光電轉換薄膜材料在提高光電轉換效率方面的應用。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





