[發明專利]一種MEMS集成化方法有效
| 申請號： | 201110433579.7 | 申請日： | 2011-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN102515089A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 趙丹淇;張大成;楊芳;田大宇;劉鵬;王瑋;李婷;羅葵 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 集成化 方法 | ||
1.一種MEMS集成化方法，包括以下步驟：
1)在基片上采用MEMS工藝光刻定義并刻蝕出MEMS區域凹槽；
2)在凹槽以外的區域制作CMOS電路，完成除金屬互連以外的所有IC工藝；
3)淀積IC區域保護層；
4)在凹槽內采用MEMS表面犧牲層工藝制作MEMS結構；
5)刻蝕形成IC區域的引線孔，淀積并圖形化金屬形成金屬互連；
6)用光刻膠保護凹槽以外的區域，去除犧牲層，釋放MEMS可動結構；
7)去除光刻膠，制得單片集成芯片。
2.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟1)所述基片為單晶硅片。
3.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟1)所述凹槽的深度為2μm。
4.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟3)低壓化學氣相淀積氧化硅和氮化硅作為保護層。
5.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟4)先淀積犧牲層并圖形化犧牲層，將凹槽外的犧牲層全部去除后再淀積結構層并圖形化結構層，得到MEMS結構。
6.如權利要求5所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟4)所述犧牲層和結構層均采用低壓化學氣相淀積方法制備，所述犧牲層的材料為磷硅玻璃，所述結構層的材料為多晶硅。
7.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟5)在IC區域干法刻蝕保護層，形成引線孔。
8.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟5)中采用濺射或蒸發的方法淀積金屬。
9.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟6)在整個基片上涂光刻膠，然后光刻，在凹槽以外的區域形成光刻膠保護層，其中光刻使用的光刻板是步驟1)所用的光刻板。
10.如權利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步驟6)采用濕法腐蝕去除犧牲層。
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