[發明專利]一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極無效
| 申請號: | 201110433419.2 | 申請日: | 2011-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102505126A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 賴延清;蔣良興;鐘曉聰;洪波;呂曉軍;郝科濤;桂俊峰;于梟影;李劼;劉業翔 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | C25B11/04 | 分類號: | C25B11/04 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所 43114 | 代理人: | 顏勇 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 含量 pb re ag 合金 電極 | ||
1.一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,包括下述組分按重量百分比組成:
稀土0.001~2.0,銀0.001~0.6,余量為鉛;
所述稀土選自La,Ce,Nd,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Dm,Yb,Lu,Y中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:所述金屬銀的重量百分含量為0.01~0.5wt.%。
3.根據權利要求2所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:所述金屬銀的重量百分含量為0.1~0.3wt.%。
4.根據權利要求3所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:
所述稀土的重量百分含量為0.005~1.0wt.%。
5.根據權利要求4所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:所述稀土的重量百分含量為0.01~0.5wt.%。
6.根據權利要求5所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:所述Pb-RE-Ag合金電極的組分還包括Pr、Gd、B、Ti、Co、Mn、Bi、Re、Se、Mo中的至少一種,其重量百分總含量小于1.0wt.%。
7.根據權利要求1所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag電極,其特征在于:所述稀土為純釹稀土或含釹稀土。
8.根據權利要求7所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:所述Pb-RE-Ag合金的組分還包括Ca,Al,Sn,Sr,As,Sb中的至少一種,其總含量小于1.0wt.%。
9.根據權利要求1所述的一種低銀含量Pb-RE-Ag合金電極,其特征在于:所述低銀含量Pb-RE-Ag合金電極為鑄造板、壓延板、多孔板或復合多孔板中的一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中南大學,未經中南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110433419.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





