[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110432441.5
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102543201A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大塚雅之
• 申請（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;H01L23/525;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具有：

存儲器單元陣列，由多個存儲器單元構(gòu)成；

多個熔絲斷路器，各自包含與電源布線以及接地布線分別連接且經(jīng)由熔絲露出窗向外部露出并相互并列設(shè)置的多個熔絲片，并分別存儲由所述熔絲片的選擇性切斷狀態(tài)所確定的不良存儲器地址；

選擇電路，根據(jù)訪問所述存儲器單元之一的訪問信號所表示的存儲器地址與所述不良存儲器地址的比較，選擇所述存儲器單元中的一個；

柵極陣列，接受電源電位以及接地電位的供給，對與由所述選擇電路選擇的存儲器單元對應(yīng)的數(shù)據(jù)進行處理，

其特征在于，

所述多個熔絲斷路器沿縱向配置在所述柵極陣列的附近，

所述電源布線和所述接地布線沿著所述熔絲片的并列設(shè)置方向延伸，

該半導(dǎo)體存儲裝置包括：

附加圖案，與所述電源布線以及所述接地布線中的、離所述柵極陣列較遠的一側(cè)的布線等電位地連接，且避開所述熔絲露出窗；

供給布線，將所述附加圖案的電位向所述柵極陣列供給。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，所述附加圖案在離所述柵極陣列較近的一側(cè)的布線的附近延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，

包括多個金屬層，

所述附加圖案形成在與形成有所述電源布線以及所述接地布線的金屬層不同的金屬層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，

所述附加圖案與位于所述電源布線以及所述接地布線中的、離所述柵極陣列較近的一側(cè)的布線具有相互重疊的位置關(guān)系。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，

所述附加圖案是以所述熔絲斷路器的至少一個為單位而進行設(shè)置的多個圖案片。

6.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具有：

存儲器單元陣列，由多個存儲器單元構(gòu)成；

多個熔絲斷路器，各自包含與電源布線以及接地布線分別連接且經(jīng)由熔絲露出窗向外部露出并相互并列設(shè)置的多個熔絲片，并分別存儲由所述熔絲片的選擇性切斷狀態(tài)所確定的不良存儲器地址；

多個選擇電路，根據(jù)訪問所述存儲器單元之一的訪問信號所表示的存儲器地址與所述不良存儲器地址的比較，選擇所述存儲器單元中的一個；

柵極陣列，接受電源電位以及接地電位的供給，對與由所述選擇電路選擇的存儲器單元對應(yīng)的數(shù)據(jù)進行處理，

其特征在于，

所述多個選擇電路沿縱向配置在所述柵極陣列的附近，

所述多個熔絲斷路器在所述多個選擇電路與所述柵極陣列之間被縱向配置，

在所述多個選擇電路與所述柵極陣列之間，所述電源布線和所述接地布線沿著所述熔絲片的并列設(shè)置方向延伸，

所述柵極陣列從所述電源布線接受所述電源電位的供給，且從所述接地布線接受所述接地電位的供給。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，

所述電源布線和所述接地布線避開所述熔絲露出窗而配置在所述多個熔絲斷路器上。