[發明專利]半導體晶片及半導體裝置

無效

• 申請號: 201110432270.6
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102593160A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 松尾哲二
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/12
• 分類號: H01L29/12
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種半導體晶片，其特征在于具有：

多層膜，其具有由未摻雜的第1氮化物半導體層和未摻雜的第2氮化物半導體層交替地層疊而成的結構，該第2氮化物半導體層的晶格常數比該第1氮化物半導體層大；以及

未摻雜的第3氮化物半導體層，其配置在所述多層膜上，晶格常數比所述第1氮化物半導體層大，

該半導體晶片在膜厚方向上具有導電性。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，

在所述多層膜中，所述第1氮化物半導體層和所述第2氮化物半導體層至少層疊了各3層以上。

3.根據權利要求1或2所述的半導體晶片，其特征在于，

在所述第3氮化物半導體層的上方及下方分別配置有所述多層膜。

4.根據權利要求3所述的半導體晶片，其特征在于，

該半導體晶片具有多個所述第3氮化物半導體層。

5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的半導體晶片，其特征在于，

所述第1氮化物半導體層和所述第2氮化物半導體層的膜厚是載流子能夠借助于隧道效應而在膜厚方向上通過的厚度。

6.一種半導體裝置，其特征在于具有：

半導體功能層，其由第1主面和第2主面定義了兩個面，由氮化物半導體構成，該第2主面與該第1主面相對；

層疊體，其配置在所述第2主面上，并在膜厚方向上具有導電性，且具有多層膜和未摻雜的第3氮化物半導體層，該多層膜由未摻雜的第1氮化物半導體層和未摻雜的第2氮化物半導體層交替地層疊而成，該第2氮化物半導體層的晶格常數比該第1氮化物半導體層大，該第3氮化物半導體層配置在所述多層膜上，晶格常數比所述第1氮化物半導體層大；以及

一對電極，其夾著所述半導體功能層和所述層疊體而相對配置。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

經由所述半導體功能層及所述層疊體，在所述一對電極之間在膜厚方向上流過電流。