[發(fā)明專利]高壓LDMOS結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110432154.4
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102522428A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 羅杰;李文昌;黃云川;馬力;高繼;艾磊;向可強
• 申請（專利權(quán)）人: 成都成電硅海科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所 51215
• 代理人: 劉勛

1.高壓LDMOS結(jié)構(gòu)，包括N漂移區(qū)和P型襯底，其特征在于，在N漂移區(qū)下方的P型襯底區(qū)域，設置有復合埋層區(qū)，所述復合埋層區(qū)包括P型埋層區(qū)和N型埋層區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復合埋層區(qū)由N型埋層區(qū)以及嵌入N型埋層區(qū)中的P型埋層區(qū)構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復合埋層區(qū)由交錯垂直排列的N型埋層區(qū)和P型埋層區(qū)構(gòu)成。