[發明專利]藍寶石襯底材料的退火工藝有效
| 申請號： | 201110432004.3 | 申請日： | 2011-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN103177972A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發明（設計）人： | 張衛興 | 申請（專利權）人： | 張衛興 |
| 主分類號： | H01L21/477 | 分類號： | H01L21/477;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京眾聯專利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顧進 |
| 地址： | 210003 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 藍寶石 襯底 材料 退火 工藝 | ||
1.一種藍寶石襯底材料的退火工藝，包括以下步驟：
????A將藍寶石襯底材料放入電加熱爐；
B第一次升溫：電加熱爐升溫至300℃~500℃，恒溫10~60分鐘；
C第二次升溫：電加熱爐升溫至700℃~900℃，恒溫10~60分鐘；
D第三次升溫：電加熱爐升溫至960℃~1550℃，恒溫60~240分鐘；
E第一次降溫：電加熱爐降溫至700℃~900℃，恒溫10~60分鐘；
F第二次降溫：電加熱爐降溫至300℃~500℃，恒溫10~60分鐘；
G第三次降溫：關閉電加熱爐，使其自然冷卻。
2.根據權利要求1所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于：
所述步驟A中藍寶石襯底材料為需要進行單面加工的材料；
所述步驟D為，電加熱爐升溫至1200℃~1550℃，恒溫60~240分鐘。
3.根據權利要求2所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于：
所述步驟D為，電加熱爐升溫至1200℃~1450℃，恒溫90~180分鐘。
4.根據權利要求1中任意一項所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于：
所述步驟A中藍寶石襯底材料為需要進行雙面加工的材料；
所述步驟D為，電加熱爐升溫至960℃~1200℃，恒溫60~240分鐘。
5.根據權利要求4中任意一項所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于：
所述步驟A中藍寶石襯底材料為需要進行雙面加工的材料；
所述步驟D為，電加熱爐升溫至1020℃~1180℃，恒溫90~180分鐘。
6.根據權利要求1~5中任意一項所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于:所述步驟B、C、D中，升溫速率為每5分鐘升高1℃。
7.根據權利要求1~5中任意一項所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于:所述步驟E、F、G中，降溫速率為每5分鐘降低1℃。
8.根據權利要求1~5所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于:所述步驟A中所述藍寶石襯底材料在電加熱爐中豎放并加以固定。
9.根據權利要求1~5中任意一項所述的藍寶石襯底材料的退火工藝，其特征在于在退火步驟之前還包括以下步驟：
A1用酸性清洗液對藍寶石襯底材料進行清洗；
A2對藍寶石襯底材料進行脫水、烘干。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
