[發明專利]全雙工傳輸電路和電子裝置無效
| 申請號： | 201110431923.9 | 申請日： | 2011-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN102546139A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 清水達夫;大前宇一郎 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H04L5/14 | 分類號： | H04L5/14 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 宋鶴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙工 傳輸 電路 電子 裝置 | ||
1.一種全雙工傳輸電路，包括：
第一內部輸入端子，該第一內部輸入端子接收將要發送的信號；
第二內部輸入端子，該第二內部輸入端子接收幅度等于所述將要發送的信號的幅度的1/2倍并且相位與所述將要發送的信號的相位相同的信號；
外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線；
內部輸出端子，該內部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號；
第一金屬氧化物半導體晶體管，該第一金屬氧化物半導體晶體管的源極連接到電流源和所述外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導體晶體管的源極和所述內部輸出端子；以及
所述第二金屬氧化物半導體晶體管，該第二金屬氧化物半導體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導體晶體管的漏極和所述內部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內部輸入端子，
其中，由所述電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導體晶體管和所述第二金屬氧化物半導體晶體管的大小被設置，使得所述第一金屬氧化物半導體晶體管和所述第二金屬氧化物半導體晶體管的跨導變為等于1/Z。
2.一種全雙工傳輸電路，包括：
第一內部輸入端子，該第一內部輸入端子接收將要發送的信號；
第二內部輸入端子，該第二內部輸入端子接收幅度等于所述將要發送的信號的幅度的1/2倍并且相位與所述將要發送的信號的相位相同的信號；
外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線；
內部輸出端子，該內部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號；
第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到電流源和所述外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述內部輸出端子；以及
所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極和所述內部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內部輸入端子，
其中，由所述電流源所生成的電流被設置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變為等于Z。
3.一種全雙工傳輸電路，包括：
第一內部輸入端子，該第一內部輸入端子接收第一差分信號；
第二內部輸入端子，該第二內部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號的幅度的1/2倍并且相位與所述第一差分信號的相位相同的信號；
第三內部輸入端子，該第三內部輸入端子接收與所述第一差分信號一起形成信號對的第二差分信號；
第四內部輸入端子，該第四內部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號的幅度的1/2倍并且相位與所述第二差分信號的相位相同的信號；
第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；
第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；
第一內部輸出端子，該第一內部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號；
第二內部輸出端子，該第二內部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號，所述第四差分信號與所述第三差分信號一起形成信號對；
第一金屬氧化物半導體晶體管，該第一金屬氧化物半導體晶體管的源極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導體晶體管的源極和所述第一內部輸出端子；以及
所述第二金屬氧化物半導體晶體管，該第二金屬氧化物半導體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導體晶體管的漏極和所述第一內部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內部輸入端子；
第三金屬氧化物半導體晶體管，該第三金屬氧化物半導體晶體管的源極連接到第二電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第三內部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導體晶體管的源極和所述第二內部輸出端子；以及
所述第四金屬氧化物半導體晶體管，該第四金屬氧化物半導體晶體管的源極連接到所述第三金屬氧化物半導體晶體管的漏極和所述第二內部輸出端子，并且其柵極連接到所述第四內部輸入端子，
其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導體晶體管和所述第二金屬氧化物半導體晶體管的大小被設置，使得所述第一金屬氧化物半導體晶體管和所述第二金屬氧化物半導體晶體管的跨導變為等于1/Z，并且
由所述第二電流源所生成的電流以及所述第三金屬氧化物半導體晶體管和所述第四金屬氧化物半導體晶體管的大小被設置，使得所述第三金屬氧化物半導體晶體管和所述第四金屬氧化物半導體晶體管的跨導變為等于1/Z。
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