[發明專利]制造碳化硅單晶的裝置和方法無效
| 申請號： | 201110431747.9 | 申請日： | 2011-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN102534795A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 原一都;徳田雄一郎 | 申請（專利權）人： | 株式會社電裝 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/02;C30B25/14 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 陳珊;劉興鵬 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 碳化硅 裝置 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造碳化硅單晶(20)的裝置，通過從由碳化硅單晶基片制成的籽晶(5)的下面供應用于碳化硅的原料氣體(3)來在籽晶的表面上生長碳化硅單晶，該裝置包括：
基部(9)，其具有第一側和與第一側相反的第二側，籽晶安裝于基部的第一側上；以及
凈化氣體引入機構(11)，其用于支撐基部并且用于從基部的第二側將凈化氣體供應至基部，其中
基部具有用于從基部朝著籽晶的外緣排出所供應凈化氣體的凈化氣體引入路徑(94，95c)。
2.根據權利要求1的裝置，其中
凈化氣體引入路徑的出口指向相對于基部的中心軸線徑向向外的方向，以使得凈化氣體從籽晶的外緣排出并且沿著基部的下表面流動。
3.根據權利要求1的裝置，其中
凈化氣體是惰性氣體，蝕刻氣體，用于碳化硅的摻雜氣體，或者惰性氣體、蝕刻氣體以及摻雜氣體中的至少兩種的混合氣體。
4.根據權利要求1-3的任何一個的裝置，其中
基部的表面由耐火金屬碳化物涂覆。
5.一種通過在由碳化硅單晶基片制成的籽晶(5)的表面上生長碳化硅單晶來制造碳化硅單晶的方法，該方法包括：
將籽晶安裝于基部(9)的第一側上；
從安裝于基部的第一側上的籽晶下面供應用于碳化硅的原料氣體(3)；
從基部的與第一側相反的第二側將凈化氣體供應至基部；以及
從基部朝著籽晶的外緣排出所供應的凈化氣體。
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