[發(fā)明專利]一種雙排直插式元器件靜電保護器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110431742.6
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102446904A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊鎮(zhèn)
• 申請（專利權(quán)）人: 銅陵浩巖節(jié)能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務(wù)所 34116
• 代理人: 胡敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種靜電保護器，尤其涉及一種雙排直插式場效應(yīng)元器件的靜電保護器。

背景技術(shù)

場效應(yīng)元器件是金屬一氧化物半導體場效應(yīng)集成電路簡稱，可以分為CMOS（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）、PMOS（P-Channel?Metal?Oxide?Semiconductor，P溝道金屬氧化物半導體）、NMOS（N-Channel?Metal?Oxide?Semiconductor，N溝道金屬氧化物半導體）等多種結(jié)構(gòu)形式。因其具有功耗低、工作電壓范圍寬、抗干擾能力強、邏輯擺幅大、輸入阻抗高、輸出能力強、成本低等一系列特點，廣泛應(yīng)用于空間電子設(shè)備、軍民電子產(chǎn)品及工業(yè)控制設(shè)備中，使用量之大僅次于普通集成電路。由于其具有較高輸入阻抗，使該類器件在未接入電子線路前，感應(yīng)電場、摩擦等產(chǎn)生的靜電，場效應(yīng)元器件的靜電很難得以釋放，造成其內(nèi)電路的擊穿，直接影響了場效應(yīng)元器件的使用率。因而場效應(yīng)元器件對于焊接工具、包裝及使用環(huán)境要求都較為苛刻。如現(xiàn)有的焊接工具處理場效應(yīng)元器件時很多都要進行良好接地，導致場效應(yīng)元器件使用成本高，不方便。場效應(yīng)元器件的包裝必須使用塑料包裝。盡管這樣，但還是不能徹底杜絕場效應(yīng)元器件發(fā)生擊穿的可能，使其使用率降低，且使用成本較高。

雙排直插式封裝（簡稱DIP封裝，Dual?Inline-pin?Package），也叫雙列直插式封裝或雙入線封裝，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路或元器件均采用這種封裝形式，場效應(yīng)元器件也多采用DIP封裝。針對DIP封裝的場效應(yīng)元器件，由于靜電導致元器件失效尤為明顯。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種雙排直插式元器件靜電保護器。

本發(fā)明是采用以下技術(shù)手段解決上述技術(shù)問題的：一種雙排直插式元器件靜電保護器，包括殼體，殼體設(shè)置有凹槽，本體的寬度大于凹槽寬度，且引線腳的長度小于凹槽深度，所述殼體的凹槽中設(shè)置有凸起，凸起與引線腳過盈配合；所述凸起與引線腳的接觸部位導電。

所述殼體由導電橡膠制成。

所述殼體由絕緣材料制成，凸起與引線腳的接觸部位涂覆導電材料，導電材料與引線腳接觸。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明所述的DIP封裝元器件防靜電保護器，利用了雙排直插式引線腳的結(jié)構(gòu)，從根本上杜絕了元器件在接入電子線路通電前因焊接摩擦、感應(yīng)等造成的靜電擊穿，方便對元器件進行存貯、運輸、作業(yè)、使用等。對焊接工具、工作間環(huán)境無特殊要求，且可以多次循環(huán)使用，實際使用效果好。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所述的雙排直插式元器件主視圖；

圖2是本發(fā)明所述的雙排直插式元器件左視圖；

圖3是本發(fā)明所述的雙排直插式元器件靜電保護器安裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3中保護器結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合具體的實施例來說明本發(fā)明的內(nèi)容。

如圖1所示，為本發(fā)明所述的雙排直插式元器件主視圖，圖2為其左視圖。本發(fā)明所述的雙排直插式元器件包括本體1和引線腳2。引線腳2為雙排，對稱分布在本體1的一側(cè)。引線腳2固定在本體1上，本體1利用引線腳2與印制電路板接觸，進而接入電路工作。

由于場效應(yīng)元器件在包裝、運輸或作業(yè)過程中，雙排引線腳2容易起靜電，而場效應(yīng)元器件具有較高輸入阻抗，因此這些因感應(yīng)電場、摩擦等產(chǎn)生的靜電很難得以釋放，容易造成本體1內(nèi)的電路擊穿，直接影響了場效應(yīng)元器件的使用率。

如圖3所示，為本發(fā)明所述的DIP封裝的場效應(yīng)元器件靜電保護器安裝結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中靜電保護器結(jié)構(gòu)示意圖。殼體3設(shè)置有凹槽4，本體1的寬度大于凹槽4寬度，且引線腳2的長度h小于凹槽4深度H。這樣，當元器件放入殼體3中時，本體1支撐在殼體3上。在殼體3的凹槽4中設(shè)置有凸起5，凸起5與引線腳2過盈配合，且凸起5與引線腳2接觸部位導電，能夠?qū)㈧o電荷對外釋放。這樣，當元器件放入殼體3中時，引線腳2卡在凸起5上，不會產(chǎn)生晃動和摩擦，盡量避免產(chǎn)生靜電，并且由凸起5與引線腳2的接觸部位將電荷釋放，進而避免產(chǎn)生電路擊穿。

一般情況下，殼體3可以采用高導電橡膠成型或者由軟金屬材料或其他類似導電材料制成。這樣利用殼體3中的凸起5與雙排引線腳2接觸，使得靜電荷能得以及時釋放，避免了場效應(yīng)元器件發(fā)生靜電擊穿。需要時，殼體3還可以采用絕緣材料制成，在凸起5與引線腳2的接觸部位涂覆一層導電材料，可以由導電材料與引線腳2接觸，同樣也可以實現(xiàn)釋放靜電的目的，這并不脫離本發(fā)明的實質(zhì)。