[發明專利]一種表面等離子體波切倫科夫輻射源

無效

• 申請號: 201110431589.7
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102593692A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 劉盛綱;張平;劉維浩
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01S1/02
• 分類號: H01S1/02
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種表面等離子體波切倫科夫輻射源，包括電子槍(2)、介質材料層(4)和沉積于介質材料層(4)表面的金屬薄膜層(3)；其特征在于，所述電子槍(2)發射的電子束從金屬薄膜層(3)表面上方掠過從而在金屬薄膜層(3)表面激發表面等離子體波；所述金屬薄膜層(3)的厚度小于所述表面等離子體波在金屬薄膜層(3)所用金屬材料中的趨膚深度δ_m，使得所述表面等離子體波能夠透過金屬薄膜層(3)到達介質材料層(4)中；電子槍(2)所發射電子束的運動速度與真空中光速的比值β和介質材料層(4)的折射率n滿足切倫科夫輻射條件：nβ＞1，使得所述表面等離子體波能夠透過金屬薄膜層(3)到達介質材料層(4)中并轉化為切倫科夫輻射。

2.根據權利要求1所述的表面等離子體波切倫科夫輻射源，其特征在于，所述電子槍(2)為普通電子槍、電子掃描顯微鏡的電子槍或帶電子加速器的電子槍。

3.根據權利要求1所述的表面等離子體波切倫科夫輻射源，其特征在于，所述金屬薄膜層(3)材料為金、銀或鋁。

4.根據權利要求1所述的表面等離子體波切倫科夫輻射源，其特征在于，所述介質材料層(4)材料為玻璃、硅、透明陶瓷、藍寶石或二氧化鈦。

5.根據權利要求1所述的表面等離子體波切倫科夫輻射源，其特征在于，所述介質材料層(4)的形狀為三角劈形，其三角形截面平行于電子運動方向。

6.根據權利要求5所述的表面等離子體波切倫科夫輻射源，其特征在于，所述三角劈形介質材料層(4)的矩形側面垂直于切倫科夫輻射方向。

7.根據權利要求1至6中任一項所述表面等離子體波切倫科夫輻射源，其特征在于，所述表面等離子體波切倫科夫輻射源還包括一個金屬擋板(1)，所述金屬擋板(1)具有平行于金屬薄膜層(3)表面的縫隙，使得電子槍(1)發射的電子束經過金屬擋板(1)之后成為帶狀電子束。