[發明專利]避免金屬尖角的方法

有效

• 申請號: 201110431441.3
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN103177957A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 郁新舉
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種避免金屬尖角的方法，其特征在于，包括步驟：

(1)在硅基板上成長若干層氧化膜；

(2)刻蝕形成溝槽形貌；

(3)成長金屬連線；

(4)金屬連線刻蝕。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)中，氧化膜包括：在硅基板上成長的若干層不同刻蝕速率的第一氧化膜、第二氧化膜或能實現第二氧化膜相同功能的介質膜；

其中，不同刻蝕速率能通過氧化膜的摻雜濃度、成長溫度以及成長壓力進行控制；

所述第一氧化膜的厚度為10000～40000埃；

第二氧化膜，是在第一氧化膜上成長的，厚度為1000～10000埃；

能實現第二氧化膜相同功能的介質膜，厚度為1000～10000埃。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述不同刻蝕速率，通過氧化膜的3％～5％的摻雜濃度、300～700攝氏度的成長溫度，以及0-800Torr的成長壓力進行控制。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一氧化膜，包括：成長溫度為300～700攝氏度的、摻雜濃度為3％～4％的亞常壓磷摻雜氧化硅膜，或者若干層濃度范圍為3％～4％的亞常壓磷摻雜氧化膜或高密度等離子增強磷摻雜氧化膜疊加而成。

第二氧化膜，具有第一氧化膜對第二氧化膜選擇比為1∶2的一層成長溫度為300～700攝氏度、摻雜濃度為4％～5％的亞常壓磷摻雜氧化膜；

能實現第二氧化膜相同功能的介質膜，包括：氮化膜、氮氧化膜。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中，采用濕法進行刻蝕；

其中，溝槽形貌要求最上面一層第二氧化膜或介質膜進行橫向刻蝕。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(3)中，成長的方法為：通過金屬濺射的方式，沉積一層厚度為1～5微米的金屬連線。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(4)中，采用干法或濕法，進行刻蝕，形成金屬連線。