[發明專利]鰭式場效應管的形成方法

有效

• 申請號: 201110430948.7
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號: CN103177961A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 鄧浩;張彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有鰭部；

采用氧化刻蝕工藝對所述鰭部的表面進行處理；

對氧化刻蝕工藝處理后的鰭部表面進行濕法刻蝕。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述氧化刻蝕工藝采用的氣體為CF₄和O₂的混合物。

3.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述氧化刻蝕工藝的參數范圍為：O₂和CF₄的氣體流量的比例大于等于4∶1且小于等于8∶1，刻蝕腔室的壓力為0.1Torr-0.6Torr，刻蝕腔室的功率為1000-3000W，處理時間5S-15S。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述鰭部的表面具有凹陷和凸起，當采用氧化刻蝕工藝對所述鰭部表面進行處理時，包括：鰭部表面的材料與氧化刻蝕工藝采用的氣體發生反應，形成鰭部凹陷處的厚度大于凸起處的厚度的中間層；刻蝕表面具有中間層的鰭部，所述鰭部凸起處的刻蝕速率高于凹陷處的刻蝕速率。

5.如權利要求4所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述中間層的材料為SiF_x1O_y1或者GeF_x2O_y2。

6.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的化學試劑為稀釋的氫氟酸，水和氫氟酸的體積比為50∶1-100∶1。

7.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的工藝參數范圍包括：溫度為20℃-30℃，刻蝕時間為15S-30S。

8.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，至少重復執行兩次“采用氧化刻蝕工藝對所述鰭部的表面進行處理；對氧化刻蝕工藝處理后的鰭部表面進行濕法刻蝕”的步驟。

9.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，經濕法刻蝕后形成的鰭部表面的粗糙度小于

10.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述鰭部的材料為Si或Ce。