[發明專利]開關電路及其控制方法、切換式電容電路及其控制方法有效
| 申請號: | 201110430876.6 | 申請日: | 2011-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103178821A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 林見儒;黃詩雄 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關電路 及其 控制 方法 切換 電容 電路 | ||
1.一種開關電路,包含:
多個開關組件;
一切換模塊;以及
一電容,所述電容具有一第一端點以及一第二端點,所述第一端點耦接至一預定電壓,且所述第二端點在一導通模式下通過所述切換模塊選擇性地電連至所述多個開關組件中至少一個的控制端來控制所述至少一個開關組件的導通狀態。
2.根據權利要求1所述的開關電路,所述電容的所述第二端點在所述導通模式下,所電連的所述多個開關組件的數量為一預定數量。
3.根據權利要求1所述的開關電路,所述電容的所述第二端點在所述導通模式下,所電連的所述多個開關組件的數量,使得所電連的所述多個開關組件的阻抗實質上維持一定值。
4.根據權利要求1所述的開關電路,其中,所述多個開關組件為N型金屬氧化物半導體晶體管或P型金屬氧化物半導體,且所述切換模塊在所述導通模式下僅使所述電容的所述第二端點電連至所述N型金屬氧化物半導體。
5.一種取樣開關電路,其可操作在一維持模式及一取樣模式,所述開關電路包含:
一開關組件,具有一第一端及一控制端,所述第一端用來接收一輸入電壓;以及
一電容,所述電容具有一第一端點以及一第二端點;
其中,當所述取樣開關電路操作在所述維持模式時,所述開關組件為非導通狀態,當所述取樣開關電路操作在所述取樣模式時,所述電容的所述第一端點接收一預定電壓,所述電容的所述第二端點連接至所述控制端。
6.一種切換式電容電路,包含:
多個開關組件;
一切換模塊;以及
一電壓調整電容,可用以接收一充電電流而被充至一第一預定電壓,所述電壓調整電容具有一第一端點以及一第二端點,所述第一端點耦接至一預定電壓,且所述第二端點在一導通模式下通過所述切換模塊選擇性地電連至所述多個開關組件中至少一個的控制端,來控制所述至少一個開關組件的導通狀態。
7.根據權利要求6所述的切換式電容電路,其中,所述多個開關組件包含:
一第一開關組件,具有耦接至一第一輸入電壓的一第一端點;以及
一第二開關組件,具有耦接至一第二輸入電壓的一第一端點,其中,所述第一輸入電壓高于所述第二輸入電壓;
其中,所述電壓調整電容的所述第二端點在所述導通模式下僅電連至所述第二開關組件的所述控制端而不電連至所述第一開關組件的所述控制端。
8.根據權利要求6所述的切換式電容電路,還包含:
一第一電容;
一第二電容;
一第三開關組件,具有耦接至所述第一輸入電壓的一第一端點;
一第四開關組件,具有耦接至所述第二輸入電壓的一第一端點;以及
一共模切換模塊;
當所述第一電容和所述第二電容通過所述共模切換模塊導通至一第三輸入電壓時,所述共模切換模塊使所述第一電容和所述第二電容互相電連且所述切換模塊使所述電壓調整電容的所述第二端點電連至所述共模切換模塊。
9.根據權利要求8所述的切換式電容電路,其中,所述共模切換模塊具有一開關組件。
10.根據權利要求6所述的切換式電容電路,其具有多個工作組態,在所述多個工作組態中,且所述電壓調整電容的所述第二端點在所述導通模式下,所電連的所述多個開關組件的數量為一固定數量。
11.根據權利要求10所述的切換式電容電路,其中,所述多個開關組件的數目為M,所述固定數量為N,M及N皆為正整數且M大于或等于N。
12.根據權利要求10所述的切換式電容電路,其中,所述多個開關組件的阻抗實質上維持一定值。
13.根據權利要求6所述的切換式電容電路,其中,所述多個開關組件為N型金屬氧化物半導體晶體管或P型金屬氧化物半導體,且所述切換模塊在所述導通模式下僅使所述電壓調整電容的所述第二端點電連至所述N型金屬氧化物半導體。
14.根據權利要求6所述的切換式電容電路,其中,所述第一電容使用在一差動信號電路的一輸入端信號上,而所述第二電容使用在所述差動信號電路的另一輸入端信號上。
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