[發(fā)明專利]超薄型雙頻微帶貼片天線陣式RFID標簽天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110430823.4
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號: CN103178336A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設計）人: 劉智佳;杜國宏
• 申請（專利權）人: 劉智佳
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q21/30
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

技術領域

本發(fā)明涉及一種RFID標簽天線，尤其是涉及一種超薄型雙頻微帶貼片天線陣式RFID標簽天線。

背景技術

RFID(Radio?Frequency?Identification)——射頻識別技術，是一種利用射頻通信實現(xiàn)的非接觸式自動識別技術，它包括電子標簽(tag)、讀寫器(reader)兩個主要部分，附有編碼的標簽和讀寫器通過天線進行無接觸數(shù)據(jù)傳輸，以完成一定距離的自動識別過程。目前的射頻識別系統(tǒng)按照使用的頻段劃分，可以分為低頻系統(tǒng)(30～300KHz)、中高頻系統(tǒng)(3-30MHz)以及超高頻和微波系統(tǒng)(300MHz-3GHz或大于33GHz)。作為快速、實時、準確采集與處理信息的高新技術和消息標椎化的基礎，已經被世界公認為本世紀十大重要技術之一，隨著UHF頻段中國標準的逐漸明朗化以及物流、智能交通、數(shù)字景區(qū)等應用的需求，UHF頻段RFID產品在RFID產業(yè)中所占市場份額會越來越大。RFID標簽天線和讀寫器天線作為通信的重要工具，在識別系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。為了在較長的工作距離上快速讀取標簽上的信息，高頻段的系統(tǒng)正備受關注，而RFID標簽天線是RFID系統(tǒng)中最易變的部分，并且其設計面臨著小型化，共形化、低成本、低損耗的實際要求，所以優(yōu)化設計RFID標簽天線在整個RFID系統(tǒng)中占有重要地位。

目前各地區(qū)使用RFID標簽天線的頻帶寬度在其高頻范圍內仍不盡一致，例如歐洲采用866～868MHz的頻段，而美國則采用902～928MHz頻段，當RFID標簽天線在上述不同地區(qū)的不同頻帶寬度地區(qū)進行切換時，現(xiàn)有技術的RFID標簽天線由于帶寬限制，也很難在不同頻帶寬度的地區(qū)被識別。并且，由于現(xiàn)有RFID標簽天線在諧振頻率低于910MHz時，導致讀取距離明顯不佳。為取得良好的識別效果，就必須增加現(xiàn)有RFID標簽天線的厚度及長寬尺寸，由此帶來RFID標簽天線外形尺寸增加和成本上漲。

因此，一種新型的具有兼容功能的可遠距離識別的超薄型雙頻微帶貼片天線陣式RFID標簽天線成為行業(yè)內產品發(fā)展的方向。

發(fā)明內容

本發(fā)明基于RFID標簽天線厚度在1mm及以下時設計的超薄型雙頻微帶貼片天線陣式RFID標簽天線，本發(fā)明目的在于提供一種超薄型雙頻微帶貼片天線陣式RFID標簽天線，具有小型化、低損耗以及可遠距離識別的特點。

本發(fā)明提供一種超薄型雙頻微帶貼片天線陣式RFID標簽天線，包括輻射單元陣列、基片以及基片底板，輻射單元陣列上具有芯片，芯片位于輻射單元陣列的中央，輻射單元陣列具有第一輻射單元和第二輻射單元以及第三輻射單元和第四輻射單元，第一輻射單元和第二輻射單元以及第三輻射單元和第四輻射單元圍繞芯片呈非對稱結構分布。

基于以上構思，本發(fā)明的非對稱結構分布形式為輻射單元陣列的第一輻射單元和第四輻射單元位于的芯片的一側，輻射單元陣列的第二輻射單元和第三輻射單元位于芯片的另一側。

基于以上構思，本發(fā)明的非對稱結構分布形式為第一輻射單元和第三輻射單元呈與芯片對角線分布，第二輻射單元與第四輻射單元呈與芯片對角線分布的形式。

基于以上構思，本發(fā)明的第一輻射單元與第三輻射單元構成RFID標簽天線的低頻諧振系統(tǒng)，第二輻射單元與第四輻射單元構成RFID標簽天線的高頻諧振系統(tǒng)。

基于以上構思，本發(fā)明的輻射單元陣列具有隔離單元。

基于以上構思，本發(fā)明的輻射單元陣列的第一輻射單元與第四輻射單元之間具有第一隔離單元。

基于以上構思，本發(fā)明的輻射單元陣列的第二輻射單元和第三輻射單元之間具有第二隔離單元。

基于以上構思，本發(fā)明的基片的具有短路結構。

基于以上構思，本發(fā)明的短路結構是位于基片的兩側面的短路面，或者是基片上的導電過孔。

本發(fā)明的有益效果在于克服了RFID標簽天線的小型化、各地區(qū)之間頻率不同從而導致RFID標簽天線無法兼容以及RFID標簽天線遠距離讀寫難題，本發(fā)明基于超薄介質1mm及以下時設計，性能表現(xiàn)相比其他而言最為明顯，提高了RFID標簽天線的帶寬范圍，使得本發(fā)明的RFID標簽天線可于更寬頻寬范圍下使用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的RFID標簽天線結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的RFID標簽天線的輻射單元陣列結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖，對本發(fā)明的具體實施過程作詳細介紹。