[發(fā)明專利]一種具有可恢復(fù)過流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110430595.0 | 申請日： | 2011-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN102437560A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉東東;張揚(yáng);文毅;鐘紅軍;李春江;常濤;彭勃 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京控制工程研究所 |
| 主分類號： | H02H9/02 | 分類號： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 安麗 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 可恢復(fù) 保護(hù) 功能 浪涌 電流 抑制 電路 模塊 | ||
1.一種具有可恢復(fù)過流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，在一次母線與負(fù)載端之間包含由電阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS管V1、三極管V2和穩(wěn)壓二極管V3組成的電路模塊，其中，電阻R1、電阻R2和MOS管V1串聯(lián)后并聯(lián)于正負(fù)母線之間，當(dāng)所述電路模塊用于負(fù)線時，所述電阻R3的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連后與電阻R1和電阻R2的串聯(lián)端相連；所述電阻R3的另一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽極以及MOS管V1的源極與負(fù)線相連；當(dāng)所述電路模塊用于正線時，所述電阻R3的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽極相聯(lián)后與電阻R1和電阻R2的串聯(lián)端相連；所述電阻R3的另一端與二極管V3的陰極以及MOS管V1的源極與正線相連；其特征在于：
當(dāng)所述電路模塊用于負(fù)線時，所述MOS管V1采用N溝道MOS管，所述三極管V2采用NPN三極管；所述三極管V2的集電極與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連；所述三極管V2的發(fā)射極與電阻R4的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽極相連；所述三極管V2的基極通過電阻R5與電阻R4的另一端以及MOS管V1的源極相連；
當(dāng)所述電路模塊用于正線時，所述MOS管V1采用P溝道MOS管，所述三極管V2采用PNP三極管；所述三極管V2的集電極與穩(wěn)壓二極管V3的陽極相連；所述三極管V2的發(fā)射極與電阻R4的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連；所述三極管V2的基極通過電阻R5與電阻R4的另一端以及MOS管V1的源極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有可恢復(fù)過流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，其特征在于：母線上電開啟后，MOS管V1的漏-源可通過的電流ID由下式所示，
其中，UGS為MOS管V1的柵-源電壓；Uth為MOS管V1的開啟電壓；IDO為當(dāng)UGS＝2Uth時的漏-源電流，當(dāng)ID×R4≥0.5V時，三極管V2開啟并控制UGS，使得MOS管V1的工作狀態(tài)在可變電阻區(qū)和恒流區(qū)之間轉(zhuǎn)化，從而實現(xiàn)對電流ID的抑制和保護(hù)功能。
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