[發明專利]單晶硅制造裝置熱場無效
| 申請號: | 201110430417.8 | 申請日: | 2011-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN103173852A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 袁文寶 | 申請(專利權)人: | 卉欣光電科技(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/14 | 分類號: | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225507 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單晶硅 制造 裝置 | ||
1.一種單晶硅制造裝置熱場,它包括爐壁(7)、石英坩堝(3)、石墨坩堝(5)、石墨加熱器(4)、石墨隔套(6);所述石英坩堝(3)置于石墨坩堝(5)內,石墨加熱器(4)設置在石墨坩堝(5)的周圍;所述石墨隔套(6)套裝在爐壁(7)內壁,將石墨加熱器(4)包圍在其內側空間;從石英坩堝(3)內的熔硅(2)中拉出棒狀單晶硅(1);在石英坩堝(3)的上方設有錐形導氣罩(8);其特征在于:所述導氣罩(8)為上下錐筒結合件,所述上下錐筒的小端密封連接,并采用圓弧平滑連接;上部錐筒的大端孔徑D1大于下部錐筒的大端孔徑D3。
2.根據權利要求1所述的單晶硅制造裝置熱場,其特征在于:所述上下錐筒的小端孔徑D2比單晶硅(1)直徑大60~70mm,下部錐筒的大端孔徑D3比石英坩堝(3)的內徑小30~40mm;上部錐筒的錐角α1為90°~100°,下部錐筒的錐角α2為60°~70°。
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