[發(fā)明專利]塊狀高溫超導(dǎo)體俘獲磁場測量裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110430384.7 | 申請日: | 2011-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103176145A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭明輝;焦玉磊 | 申請(專利權(quán))人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號: | G01R33/07 | 分類號: | G01R33/07;G01R33/12 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 劉茵 |
| 地址: | 100088 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 塊狀 高溫 超導(dǎo)體 俘獲 磁場 測量 裝置 方法 | ||
1.一種塊狀高溫超導(dǎo)體俘獲磁場測量裝置,其特征在于,其包括機架1,垂直移動機構(gòu)2,二維水平移動機構(gòu)3,驅(qū)動及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)4,低溫樣品容器5,充磁用磁體6和霍爾元件7;
該垂直移動機構(gòu)2固定在機架1上,充磁用磁體6或霍爾元件7固定于該垂直移動機構(gòu)2上;
該二維水平移動機構(gòu)3固定在機架1上,并位于垂直移動機構(gòu)2的下方,低溫樣品容器5固定于該二維水平移動機構(gòu)3上;
該垂直移動機構(gòu)2和二維水平移動機構(gòu)3分別與驅(qū)動及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)4連接。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述垂直移動機構(gòu)2由步進電機21、精密滾珠絲杠22和具有滑動導(dǎo)向槽的導(dǎo)柱23構(gòu)成;該精密滾珠絲杠22一端連接步進電機21,另一端連接該充磁用磁體6或霍爾元件7。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述二維水平移動機構(gòu)3包括一個樣品支架;該樣品支架由具有滑動導(dǎo)向槽的第一導(dǎo)柱36和第二導(dǎo)柱37組成,兩個導(dǎo)柱相互垂直;該第一導(dǎo)柱36上設(shè)置第一步進電機32和第一精密滾珠絲杠34;該第二導(dǎo)柱37上設(shè)置第二步進電機33和第二精密滾珠絲杠35;低溫樣品容器5固定于第一導(dǎo)柱36上,與第一精密滾珠絲杠34連接,該精密滾珠絲杠34的另一端連接第一步進電機32,由該精密滾珠絲杠34牽引,該低溫樣品容器5沿該第一導(dǎo)柱36作水平移動;該第一導(dǎo)柱36連接第二精密滾珠絲杠35,該第二精密滾珠絲杠35的另一端連接第二步進電機33,由該第二精密滾珠絲杠35牽引,第一導(dǎo)柱36沿該第二導(dǎo)柱37作水平移動。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述驅(qū)動及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)4包括輸出信號采集及顯示單元和整體裝置的驅(qū)動及控制單元。
5.一種應(yīng)用權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置測量塊狀高溫超導(dǎo)體俘獲磁場的方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
A.首先將超導(dǎo)材料進行充磁,并固定在盛有液氮的低溫樣品容器5中,該低溫樣品容器5固定在二維水平移動機構(gòu)3上;
B.將霍爾元件固定于垂直移動機構(gòu)上,通過驅(qū)動垂直移動機構(gòu)2的步進電機21確定霍爾元件與超導(dǎo)樣品之間的距離;
C.控制兩個步進電機32、33,使樣品相對與霍爾元件做水平運動;
D.采集水平方向的坐標(biāo)值及霍爾元件的測量數(shù)據(jù);
E.以采集到的數(shù)據(jù)作圖即可得到超導(dǎo)樣品的俘獲場數(shù)據(jù)及磁場分布圖。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述步驟A的充磁操作采用外部磁場,或通過所述垂直移動機構(gòu)2帶動磁體與超導(dǎo)材料接近,冷卻超導(dǎo)材料至液氮溫度后對超導(dǎo)材料進行充磁。
7.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述裝置的最大水平掃描范圍為150mm×150mm,垂直移動距離為100mm,最小步進距離為25微米。
8.應(yīng)用權(quán)利要求1-4中任一項所述的裝置測量磁性材料表面磁場與磁場分布的方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
A.首先將磁性材料樣品固定在二維水平移動機構(gòu)3上;
B.將霍爾元件固定于垂直移動機構(gòu)上,通過驅(qū)動垂直移動機構(gòu)2的步進電機21確定霍爾元件與磁性材料樣品之間的距離;
C.控制兩個步進電機32、33,使樣品相對與霍爾元件做水平運動;
D.采集水平方向的坐標(biāo)值及霍爾元件的測量數(shù)據(jù);
E.以采集到的數(shù)據(jù)作圖即可得到磁性材料樣品的表面磁場與磁場分布圖。
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