[發(fā)明專利]一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110429609.7
• 申請(qǐng)日: 2011-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN102491255A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢麗勛;李卓;韓階平;歐文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京理工大學(xué);北京金盛微納科技有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：具體實(shí)施過程如下：

步驟一：選擇操作面平整的襯底；

步驟二：清洗襯底操作面；

步驟三：在襯底的操作面上制作一層犧牲層；

步驟四：利用涂膠機(jī)在步驟三制作的犧牲層表面旋涂PI原液層；

步驟五：將PI原液層進(jìn)行熱處理，形成PI薄膜層；

步驟六：在PI薄膜層上制作可見光吸收紅外輻射層；

步驟七：在可見光吸收紅外輻射層光刻像元陣列圖形；

步驟八：將像元陣列圖形轉(zhuǎn)移到可見光吸收紅外輻射層；

步驟九：去除剩余的光刻膠；

步驟十：剝離薄膜芯片；

步驟十一：固定薄膜芯片；完成薄膜芯片的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：依次使用超聲波、丙酮、乙醇和去離子水清洗襯底操作面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：制作犧牲層的材料能被剝離PI薄膜的剝離液反應(yīng)溶解，制作PI薄膜層厚度越小，所需犧牲層的厚度小；制作PI薄膜層面積越大，所需犧牲層厚度越大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：可見光吸收紅外輻射層的材料適合MEMS工藝加工，不影響后續(xù)操作。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：光刻的步驟包括：涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：將光刻后的像元陣列圖形轉(zhuǎn)移到可見光吸收紅外輻射層時(shí)的工藝不能破壞薄膜芯片的其他部位。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：剝離薄膜芯片的方法為：將包括襯底、犧牲層和薄膜芯片在內(nèi)的片子放入剝離液中，腐蝕犧牲層材料，將薄膜芯片從襯底上分離；所用剝離液不能破壞薄膜芯片。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外動(dòng)態(tài)場(chǎng)景生成芯片的制作方法，其特征在于：作為最佳實(shí)施，襯底為硅片，犧牲層材料選用SiO₂。?