[發明專利]一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法無效
| 申請號: | 201110428872.4 | 申請日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN102437066A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 陶玉娟;石磊;施建根 | 申請(專利權)人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市惠誠律師事務所 11353 | 代理人: | 雷志剛;潘士霖 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可靠 圓片級 柱狀 封裝 方法 | ||
1.一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,包括步驟:
在芯片的焊盤和鈍化層上依次形成耐熱金屬層和金屬浸潤層;
在金屬浸潤層上形成光刻膠,所述光刻膠設有開口曝露出芯片焊盤上方的金屬浸潤層;
在上述開口中的金屬浸潤層上形成連接層,所述連接層包括依次形成的附著層和阻擋層;
去除光刻膠;
蝕刻鈍化層上的耐熱金屬層和金屬浸潤層至鈍化層裸露;
在芯片上形成保護膠層,所述保護膠將連接層覆蓋;
研磨保護膠層,使連接層中的阻擋層裸露;
在阻擋層上形成焊料凸點并回流。
2.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述耐熱金屬層的材料是鈦、鉻、鉭或它們的組合。
3.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述金屬浸潤層的材料是銅、鋁、鎳或它們的組合。
4.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述附著層的材質是銅。
5.根據權利要求4所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述銅附著層的厚度是50~100μm。
6.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述阻擋層的材質是鎳。
7.根據權利要求6所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述鎳阻擋層的厚度是1.5~3μm。
8.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述保護膠的材質為環氧樹脂。
9.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述焊料凸點的材質是純錫或錫合金。
10.根據權利要求9所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,所述焊料凸點的厚度是10~70μm。
11.根據權利要求1所述的一種高可靠圓片級柱狀凸點封裝方法,其特征在于,研磨保護膠層后,對裸露的阻擋層表面進行微蝕刻處理或等離子清洗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





